[發明專利]一種硅基薄膜疊層太陽電池隧穿反射層的制備方法

有效

• 申請號: 201410681933.1
• 申請日: 2014-11-25
• 公開（公告）號: CN104319295A
• 公開（公告）日: 2015-01-28
• 發明（設計）人: 楊雯;涂曄;段良飛;楊培志;張力元
• 申請（專利權）人: 云南師范大學
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/20
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種硅基薄膜疊層太陽電池隧穿反射層的制備方法，其特征是：“采用已制備好的子電池基底，對其進行清洗處理；以高純石英靶為靶材，用射頻電源濺射一層硅氧薄膜；抽真空除氧后，以金屬鋁靶為靶材，在硅氧薄膜層上濺射一層鋁膜；以高純石英靶為靶材，再在金屬鋁膜上濺射一層硅氧薄膜；將制備好的薄膜放入快速退火爐中退火”。

2.根據權利要求1中所述的子電池基底，其特征在于可以是基于玻璃襯底的非晶硅頂電池基底，也可以是基于柔性襯底的微晶硅底電池基底。

3.根據權利要求1中所述的硅氧薄膜，其特征在于以高純石英靶為靶材，通過控制射頻功率、反應氣體流量及濺射時間，制備成30~50nm厚的SiO_x(1<x<2)。

4.根據權利要求1中所述的鋁膜，其特征在于先抽真空除去濺射腔室內殘留的氧氣，以金屬鋁靶為靶材，通過控制脈沖功率、反應氣體流量及濺射時間，制備成15~30nm厚的Al薄膜。

5.根據權利要求1中所述的退火，其特征在于在RTP快速退火爐中，N₂氣氛下500~600℃快速退火20min。