[發明專利]一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置

在審

• 申請號: 201410678072.1
• 申請日: 2014-11-21
• 公開（公告）號: CN104393020A
• 公開（公告）日: 2015-03-04
• 發明（設計）人: 方金鋼;辛龍寶;孫宏達
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L51/56
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

技術領域

本發明涉及顯示領域，尤其涉及一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置。

背景技術

OLED(Organic?Light?Emitting?Diode，有機發光二極管)顯示裝置因其具有自發光、反應速度快、對比度高、視角廣等特點已成為下一代顯示技術的主要發展方向。

AMOLED(Active?Matrix?Organic?Light?Emitting?Diode，有源矩陣有機發光二極管)顯示裝置是OLED顯示裝置的一種重要結構形式，AMOLED顯示裝置包括陣列基板和封裝基板，其中，陣列基板上形成有多個顯示單元。如圖1所示，顯示單元包括開關薄膜晶體管3、驅動薄膜晶體管4以及OLED。其中，開關薄膜晶體管3的柵極G與柵線1電連接，漏極D與數據線2電連接，源極S與驅動薄膜晶體管4的柵極G電連接；驅動薄膜晶體管4的漏極D與V_dd線(電源信號線)電連接，源極S與OLED的陽極或陰極電連接。當柵線1、數據線2以及V_dd線同時加載電信號，驅動薄膜晶體管4的源極S驅動OLED發光。

在上述AMOLED顯示裝置中，如圖2所示，有源層13一般采用電子遷移率更高的IGZO(Indium?Gallium?Zinc?Oxide，銦鎵鋅氧化物)形成，則一般還在有源層13上形成刻蝕阻擋層14，以阻止漏極17和源極18在被酸液濕刻時對有源層13的侵蝕。

具體的，如圖2所示，開關薄膜晶體管3的漏極17和源極18通過第一過孔15與有源層13電連接，開關薄膜晶體管3的源極18通過第二過孔16與第一電極20電連接，第一電極20與驅動薄膜晶體管4的柵極11電連接。在制備過程中，第一過孔15和第二過孔16采用一道掩膜同時刻蝕形成，由于形成第一過孔15只需刻蝕一層即刻蝕阻擋層14，即可實現源極和漏極與有源層的電連接；形成第二過孔16需要刻蝕兩層即刻蝕阻擋層14和柵極絕緣層12，則在刻蝕形成第二過孔16時，第一過孔15會出現過刻，即第一過孔15貫穿刻蝕阻擋層14以及柵絕緣層12，從而使得源極18和漏極17均與柵極11電連接，導致開關薄膜晶體管失效。

為了避免上述問題，現有技術中采用兩道掩膜工序或者采用半色調掩膜和灰色調掩膜形成第一過孔和第二過孔。但采用兩道掩膜工序增加了工藝的復雜性，提高了生產成本；采用半色調掩膜和灰色調掩膜雖然僅用了一道掩膜工序，但半色調掩膜板和灰色調掩膜板昂貴，同樣提高了生產成本。

發明內容

本發明的實施例提供一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置，解決了現有技術中采用一道掩膜同時刻蝕形成第一過孔和第二過孔而導致第一過孔長時間過刻，使得薄膜晶體管失效的問題。

為達到上述目的，本發明的實施例采用如下技術方案：

一方面，提供了一種陣列基板，包括：襯底以及形成在所述襯底上的開關薄膜晶體管和第一電極，所述開關薄膜晶體管包括柵極、柵絕緣層、有源層、刻蝕阻擋層以及源極和漏極，其中，所述刻蝕阻擋層上形成有第一過孔，所述源極和所述漏極通過所述第一過孔與所述有源層電連接；所述刻蝕阻擋層和所述柵絕緣層覆蓋所述第一電極，所述刻蝕阻擋層和所述柵絕緣層在對應第一電極的位置處形成有第二過孔，所述開關薄膜晶體管的源極通過所述第二過孔與所述第一電極電連接，所述第一過孔的最大孔徑不大于所述第二過孔的最小孔徑，其中，在所述第一過孔的最大孔徑小于等于8μm的情況下，所述第二過孔的最小孔徑與所述第一過孔的最大孔徑的差不小于2μm；在所述第一過孔的最大孔徑大于8μm且小于等于14μm的情況下，所述第二過孔的最小孔徑與所述第一過孔的最大孔徑的比值不小于1.3。

另一方面，提供了一種陣列基板的制備方法，包括：在襯底上形成開關薄膜晶體管和第一電極；其中，形成開關薄膜晶體管和第一電極具體包括：在襯底上形成柵極、第一電極、柵絕緣層、有源層以及刻蝕阻擋層，其中，所述刻蝕阻擋層和所述柵絕緣層覆蓋所述第一電極；在襯底上形成第一過孔和第二過孔，其中，所述第一過孔形成在對應有源層的位置處，貫穿刻蝕阻擋層；第二過孔形成在對應第一電極的位置處，貫穿刻蝕阻擋層和柵絕緣層；在襯底上形成源極和漏極，其中，所述源極和所述漏極通過所述第一過孔與所述有源層電連接，所述開關薄膜晶體管的源極通過所述第二過孔與所述第一電極電連接；所述第一過孔的最大孔徑不大于所述第二過孔的最小孔徑，其中，在所述第一過孔的最大孔徑小于等于8μm的情況下，所述第二過孔的最小孔徑與所述第一過孔的最大孔徑的差不小于2μm；