[發明專利]顯示用紅色LED直接焊接晶片的制備方法和晶片

有效

• 申請號: 201410678056.2
• 申請日: 2014-11-21
• 公開（公告）號: CN105679925B
• 公開（公告）日: 2019-01-22
• 發明（設計）人: 嚴敏;程君;周鳴波
• 申請（專利權）人: 環視先進數字顯示無錫有限公司
• 主分類號: H01L33/62
• 分類號: H01L33/62;H01L25/075;H01L33/00
• 代理公司: 北京權泰知識產權代理事務所(普通合伙) 11460
• 代理人: 王道川;楊勇

1.一種顯示用紅色LED直接焊接晶片的制備方法，其特征在于，所述方法包括：

對襯底的正面和背面都進行第一圖形化處理；所述襯底包括藍寶石襯底、GaAs襯底或SiC襯底；

在第一圖像化處理后的所述襯底上依次進行N型外延層和P型外延層生長，并進行化學機械拋光；

進行N區光刻和刻蝕，在第一圖形化區域內露出N型外巖延 層；

淀積電流阻擋層；

進行電流阻擋層光刻和圖形化刻蝕；

淀積電流擴散層；

進行電流擴散層光刻和圖形化刻蝕，在第二圖形化區域內露出P型外延層，并在第三圖形化區域內露出襯底；

預退火后，進行金屬層光刻和圖形化刻蝕；

灰化后，進行金屬蒸鍍，沉積Cr，Ni，Au，Ti，Sn，其中最外層為AuSn合金；

對金屬層剝離；剝離后，在所述第二圖形化區域和第三圖形化區域上形成所述晶片的兩個電極；

對所述襯底進行激光剝離，從而得到所述晶片；

對所述晶片退火，得到所述顯示用紅色LED直接焊接晶片。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：在退火后，對所述紅色LED直接焊接晶片進行焊接性模擬測試。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述對所述襯底進行激光剝離具體為：

使用激光對襯底進行襯底切割，切割后剩余的襯底厚度不超過3微米。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，在所述襯底進行激光剝離之后，所述方法還包括：

對切割剝離沉底后留下的N型外延層的表面進行研磨

并對所述晶片進行二次鈍化。

5.根據權利要求1所述的LED共晶晶片，其特征在于，所述N型外延層具體為N型GaN或InGaN或AlGaN或AlGaInP。

6.根據權利要求1所述的LED共晶晶片，其特征在于，所述P型外延層具體為P型GaN或InGaN或AlGaN或AlGaInP。

7.一種應用上述權利要求1-6任一所述方法制備得到的紅色LED直接焊接晶片。