[發明專利]帶應力保護結構的高可靠性影像傳感器封裝在審
| 申請號: | 201410677794.5 | 申請日: | 2014-11-23 |
| 公開(公告)號: | CN104409464A | 公開(公告)日: | 2015-03-11 |
| 發明(設計)人: | 秦飛;武偉;安彤;肖智軼 | 申請(專利權)人: | 北京工業大學 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京思海天達知識產權代理有限公司 11203 | 代理人: | 劉萍 |
| 地址: | 100124 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 應力 保護 結構 可靠性 影像 傳感器 封裝 | ||
1.一種帶應力保護結構的高可靠性影像傳感器封裝結構,其特征在于包括:
提供晶圓,其中包括在晶圓正面具制作有多個芯片區,芯片區包括位于中央的影像傳感區和四周邊緣的焊盤;
蓋板,在晶圓正面覆蓋一層蓋板,其中在蓋板正面的中央制作有空腔結構,從而在蓋板和晶圓之間形成一個密閉空腔;
晶圓背面的重分布線路層,通過將晶圓背面四周的硅去除,將晶圓正面的焊盤暴露出來后再制作所述重分布線路層;重分布線路層依次由鈍化層、金屬層和防焊層組成,通過制作重分布線路層,將晶圓正面的焊盤導通到晶圓背面,并與晶圓背面的焊球相連接;
在所述重分布線路層中,通過在鈍化層上制作開口,將晶圓正面的焊盤暴露出來,然后制作金屬層,從而實現焊盤同金屬層之間的導通;所述金屬層在晶圓邊緣處被防焊層所包裹而不與外界直接接觸。
2.根據權利要求1所述的封裝結構,其特征在于,其中所述鈍化層開口為若干個小孔,其截面為圓形或者方形。
3.制備權利要求1所述的一種帶應力保護結構的高可靠性影像傳感器封裝方法,其特征在于,包括以下步驟:
步驟1,制作蓋板:在蓋板正面制作空腔結構;
步驟2,晶圓鍵合:利用鍵合機,通過在蓋板正面涂布一層鍵合膠,將蓋板正面同晶圓正面鍵合在一起;
步驟3,晶圓減薄,減薄過程分兩步進行:首先,通過研磨機,對晶圓背面進行研磨,將晶圓減薄到設定厚度;然后,對減薄后的晶圓背面進行去應力等離子刻蝕;
步驟4,硅去除:將晶圓背面四周的硅進行去除,暴露出晶圓正面的焊盤;
步驟5,重分布線路層,主要包含三步:首先,在晶圓背面沉積一層鈍化層,并通過制作開口將晶圓正面的I/O暴露出來;其次,在鈍化層表面及其開口內濺射金屬層,并將其圖案化以形成線路;最后,在金屬層表面覆蓋一層防焊層,并在預設焊球的位置將金屬層暴露出來;
步驟6,制作焊球:將焊球形成于晶圓背面的重分布線路層上,然后對晶圓的四周進行切割以形成單顆芯片的封裝。
4.根據權利要求3所述的方法,其特征在于,所述硅去除工藝步是采用等離子刻蝕的干法刻蝕工藝、包含硅刻蝕液的濕法刻蝕工藝以及V-cut刀直接切割這三種方式之一進行。
5.根據權利要求3所述的方法,其特征在于,防焊層的厚度不超過鈍化層厚度的1.5倍。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





