[發明專利]掩膜板的清洗方法及清洗裝置有效
| 申請號: | 201410677403.X | 申請日: | 2014-11-21 |
| 公開(公告)號: | CN104409328B | 公開(公告)日: | 2018-01-30 |
| 發明(設計)人: | 李金川 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02;H01L21/67;H01L51/56 |
| 代理公司: | 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙)44280 | 代理人: | 何青瓦 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市光明新區公*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 掩膜板 清洗 方法 裝置 | ||
1.一種掩膜板的清洗方法,所述掩膜板設置有蒸鍍孔,其特征在于,所述清洗方法包括:
提供堿性導電溶液,并將所述掩膜板浸沒于所述堿性導電溶液中;
將所述掩膜板連接于電源的陽極和陰極中的一個,且所述電源的陽極和陰極中的另一個浸沒于所述堿性導電溶液中,其中所述電源的陽極和陰極分別連接有金屬板,且掩膜板與金屬板之間具有預定距離;
接通所述電源,使所述堿性導電溶液發生電離反應并生成氣體,所述氣體在所述堿性導電溶液中產生的氣泡運動至所述掩膜板時具有的直徑大于或等于所述蒸鍍孔的直徑,從而通過所述氣體將所述掩膜板上的污染物帶離所述掩膜板。
2.根據權利要求1所述的清洗方法,其特征在于,所述堿性導電溶液包括氫氧化鉀溶液和氫氧化鈉溶液的任意組合,且所述堿性導電溶液的pH值大于或等于11。
3.根據權利要求2所述的清洗方法,其特征在于,所述掩膜板連接于所述電源的陰極,所述電源的陽極浸沒于所述堿性導電溶液中。
4.根據權利要求1所述的清洗方法,其特征在于,所述將所述掩膜板浸沒于所述堿性導電溶液中之前,所述清洗方法包括:
利用有機溶劑清洗所述掩膜板,以清除所述掩膜板上的有機材料。
5.根據權利要求1所述的清洗方法,其特征在于,所述接通所述電源之后,且所述堿性導電溶液發生電離反應并生成氣體的同時,所述清洗方法進一步包括:
以預定頻率的超聲波震蕩所述掩膜板。
6.根據權利要求1所述的清洗方法,其特征在于,所述電源的陽極和陰極連接有相同材質的金屬板,所述金屬板的制造材質包括銅。
7.根據權利要求1所述的清洗方法,其特征在于,所述接通所述電源之后,且所述堿性導電溶液發生電離反應并生成氣體的同時,所述清洗方法進一步包括:
按照預定間隔逐漸增大所述電源的放電電流,且所述放電電流的取值范圍為100安培至1000安培之間。
8.一種掩膜板的清洗裝置,所述掩膜板設置有蒸鍍孔,其特征在于,所述清洗裝置包括電源以及盛裝于電解池中的堿性導電溶液,其中,所述電源的陽極和陰極中的一個用于連接所述掩膜板,所述電源的陽極和陰極中的另一個以及所述掩膜板浸沒于所述堿性導電溶液中,其中所述電源的陽極和陰極分別連接有金屬板,掩膜板與金屬板之間具有預定距離,且在所述電源接通后,所述堿性導電溶液發生電離反應并生成氣體,所述氣體在所述堿性導電溶液中產生的氣泡運動至所述掩膜板時具有的直徑大于或等于所述蒸鍍孔的直徑,從而通過所述氣體將所述掩膜板上的污染物帶離所述掩膜板。
9.根據權利要求8所述的清洗裝置,其特征在于,所述堿性導電溶液包括氫氧化鉀溶液和氫氧化鈉溶液的任意組合,且所述堿性導電溶液的pH值大于或等于11,所述電源的陰極用于連接所述掩膜板,所述電源的陽極浸沒于所述堿性導電溶液中。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于深圳市華星光電技術有限公司,未經深圳市華星光電技術有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410677403.X/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:嵌入式鍺硅器件的制作方法
- 下一篇:一種微調刻蝕深度空間分布的方法和系統
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





