[發明專利]一種Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體霍爾元件及其制備方法在審
| 申請號： | 201410676818.5 | 申請日： | 2014-11-24 |
| 公開（公告）號： | CN104377301A | 公開（公告）日： | 2015-02-25 |
| 發明（設計）人： | 朱忻;胡雙元 | 申請（專利權）人： | 蘇州矩陣光電有限公司 |
| 主分類號： | H01L43/06 | 分類號： | H01L43/06;H01L43/14;H01L21/683 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 215614 江蘇省蘇州市張家港市*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 化合物 半導體 霍爾 元件 及其 制備 方法 | ||
1.一種Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體霍爾元件，其特征在于：沒有單晶襯底的霍爾元件芯片，組裝在剛性支撐襯底或者絕緣散熱基板上。
2.如權利要求1所述的一種Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體霍爾元件的制備方法，該方法包括：
a）選用一種Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體單晶襯底；
b）在Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體單晶襯底上制備一層犧牲層；
c）在犧牲層上繼續生長霍爾元件的功能層材料；
d）在外延功能層表面粘附一層柔性且化學惰性的材料；?
e）選用選擇性腐蝕溶液腐蝕犧牲層，實現霍爾元件外延功能層與Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體單晶襯底剝離；剝離后的Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體單晶襯底，經過簡單處理后，可重復使用；
f）將剝離后的外延功能層柔性材料一面，粘附在另一剛性支撐襯底上；
g）在剝離后的霍爾元件功能層上，進行制備最終的霍爾元件所需的后續芯片工藝。
3.如權利要求2所述的一種Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體霍爾元件的新型制備方法，其特征在于：在步驟g）之后，根據產品需要，將完成芯片工藝的霍爾元件，通過倒焊等工藝技術，組裝至預先金屬圖形化的絕緣散熱基板上，然后將霍爾元件與起支撐作用的柔性材料及剛性襯底分離，完成超薄霍爾元件制作。
4.如權利要求2所述的一種Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體霍爾元件的新型制備方法，其特征在于：所述的Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體單晶襯底為砷化鎵（GaAs）襯底或磷化銦（InP）襯底。
5.如權利要求2所述的一種Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體霍爾元件的新型制備方法，其特征在于：基于砷化鎵襯底，所述的犧牲層為砷化鋁（AlAs）層或鋁鎵砷（AlGaAs）層；基于磷化銦襯底，所述的犧牲層為銦鎵砷（InGaAs）層。
6.如權利要求2所述的一種Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體霍爾元件的新型制備方法，其特征在于：所述的剛性支撐襯底為硅襯底，玻璃襯底，陶瓷襯底或剛性塑料襯底。
7.如權利要求2所述的一種Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體霍爾元件的新型制備方法，其特征在于：基于砷化鎵襯底，所述的選擇性腐蝕溶液為氫氟酸（HF）溶液；基于磷化銦襯底，所述的選擇性腐蝕溶液為檸檬酸與雙氧水混合液。
8.如權利要求3所述的一種Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體霍爾元件的新型制備方法，其特征在于：所述的絕緣散熱基板為散熱陶瓷片。
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