[發(fā)明專利]一種防輸出過沖LDO啟動(dòng)電路有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410676299.2 | 申請(qǐng)日: | 2014-11-21 |
| 公開(公告)號(hào): | CN105676929B | 公開(公告)日: | 2017-01-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張明明;林偉斌;胡珊珊;張樂平;趙云;賴宇陽;錢斌 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 南方電網(wǎng)科學(xué)研究院有限責(zé)任公司 |
| 主分類號(hào): | G05F1/56 | 分類號(hào): | G05F1/56 |
| 代理公司: | 北京中譽(yù)威圣知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11279 | 代理人: | 郭振興,王正茂 |
| 地址: | 510080 廣東省廣州市越秀區(qū)*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 輸出 ldo 啟動(dòng) 電路 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及啟動(dòng)電路技術(shù)領(lǐng)域中低壓差線性穩(wěn)壓器啟動(dòng)電路的技術(shù)領(lǐng)域,具體地,涉及一種防輸出過沖LDO啟動(dòng)電路。
背景技術(shù)
LDO(Low Dropout regulator,意為低壓差線性穩(wěn)壓器)是相對(duì)于傳統(tǒng)的線性穩(wěn)壓器來說的。傳統(tǒng)的線性穩(wěn)壓器,如78xx系列的芯片都要求輸入電壓要比輸出電壓高出2v~3V以上,否則就不能正常工作。但是在一些情況下,這樣的條件顯然是太苛刻了,如5v轉(zhuǎn)3.3v,輸入與輸出的壓差只有1.7v,顯然是不滿足條件的。針對(duì)這種情況,才有了LDO類的電源轉(zhuǎn)換芯片。LDO是一種線性穩(wěn)壓器,使用在其線性區(qū)域內(nèi)運(yùn)行的晶體管或FET,從應(yīng)用的輸入電壓中減去超額的電壓,產(chǎn)生經(jīng)過調(diào)節(jié)的輸出電壓。
LDO上電時(shí)的瞬間過沖,會(huì)對(duì)工作在LDO輸出電壓下的核心電路的壽命造成影響,輸出電壓過高會(huì)造成核心電路的擊穿,所以,防止LDO上電瞬間的過沖是非常重要的。
在現(xiàn)有的技術(shù)中,實(shí)現(xiàn)的方式如圖1所示。將電源電壓經(jīng)過一個(gè)RC低通濾波器(由兩個(gè)MOS管M1和M2構(gòu)成,M1相當(dāng)于電阻,M2相當(dāng)于電容)之后,對(duì)連接在電源和功率管MO柵端Vgate之間的PMOS管(M3)進(jìn)行控制,這樣可以實(shí)現(xiàn),在電源電壓快速上升時(shí),該P(yáng)MOS管M3形成短暫的Vgs電壓(柵源電壓)差,PMOS管M3短暫導(dǎo)通,使得功率管MO的柵端Vgate瞬間與電源短接,進(jìn)而關(guān)斷功率管MO,從而達(dá)到限制上電過沖的目的。
現(xiàn)有技術(shù)雖然解決了上電瞬間輸出電壓過沖的問題,但是在某些工作環(huán)境下會(huì)導(dǎo)致電路不能正常工作。例如,在正常工作時(shí),電源電壓在正常范圍內(nèi)發(fā)生劇烈的變化,會(huì)導(dǎo)致功率管的短時(shí)間關(guān)閉,直到LDO的反饋環(huán)路將功率管MO柵端Vgate電壓調(diào)節(jié)到正常值,功率管才會(huì)重新打開。而一般的,LDO的環(huán)路帶寬比較小,反應(yīng)比較慢,這個(gè)調(diào)節(jié)需要的時(shí)間很長。功率管關(guān)閉期間,在輸出負(fù)載電流作用下,LDO輸出電壓會(huì)一直下降,嚴(yán)重時(shí)會(huì)下降到需求值范圍以下。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是為了克服現(xiàn)有LDO啟動(dòng)電路在電源電壓發(fā)生變化時(shí)可能導(dǎo)致LDO不能正常工作的缺陷,根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面,提出一種防輸出過沖LDO啟動(dòng)電路。
本發(fā)明實(shí)施例提供的一種防輸出過沖LDO啟動(dòng)電路,包括:第一NMOS管、第二NMOS管、第一反相器、第一三極管、第二三極管、開關(guān)電路、誤差放大器、第一PMOS管、第一電阻、第二電阻、第三電阻和第四電阻;第一電阻的一端接電源,另一端與第二NMOS管的漏極相連;第二NMOS管的漏極還與第一反相器的輸入端相連,第二NMOS管的源極與第一NMOS管的漏極相連,第二NMOS管的柵極與啟動(dòng)電路的輸出端相連;第一NMOS管的柵極與反饋端相連,柵極還與誤差放大器的反相輸入端相連,第一NMOS管的源極接地;開關(guān)電路的控制端與第一反相器的輸入端相連,開關(guān)電路還分別與第二電阻的一端、第一三極管的發(fā)射極相連,用于控制第二電阻與第一三極管之間的通斷;第二電阻的另一端接電源;第一反相器的輸出端與第二三極管的基極相連,第二三極管的發(fā)射極與第一三極管的基極相連;第一三極管的發(fā)射極還與啟動(dòng)電路的輸出端相連,第一三極管的集電極和第二三極管的集電極均接地;第一PMOS管的源極接電源,漏極與啟動(dòng)電路的輸出端相連,柵極與誤差放大器的輸出端相連,第一PMOS管的漏極還依次通過第三電阻和第四電阻后接地;誤差放大器的正向輸入端與第三電阻與第四電阻之間的連接節(jié)點(diǎn)相連。
在上述技術(shù)方案中,還包括:整波電路;第二NMOS管的漏極與第一反相器的輸入端相連,具體包括:第二NMOS管的漏極通過整波電路與第一反相器的輸入端相連。
在上述技術(shù)方案中,整波電路包括偶數(shù)組串聯(lián)相連的反相器;第二NMOS管的漏極通過偶數(shù)組串聯(lián)相連的反相器與第一反相器的輸入端相連。
在上述技術(shù)方案中,開關(guān)電路包括第二反相器和第二PMOS管,第二反相器的輸出端與第二PMOS管的柵極相連;第二反相器的輸入端與第一反相器的輸入端相連;第二PMOS管的源極與第二電阻的一端相連,第二PMOS管的漏極與第一三極管的發(fā)射極相連。
在上述技術(shù)方案中,第一三極管和第二三極管均為PNP型三極管。
本發(fā)明實(shí)施例提供的一種防輸出過沖LDO啟動(dòng)電路,可以有效防止當(dāng)LDO上電過快時(shí)輸出電壓過沖現(xiàn)象;同時(shí),當(dāng)啟動(dòng)過程結(jié)束之后,防輸出過沖電路被關(guān)閉,即使LDO啟動(dòng)電路的電源電壓發(fā)生劇烈變化,也不會(huì)對(duì)LDO電路正常工作造成影響。
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