[發明專利]光掩模的制造方法、光掩模和圖案轉印方法有效
| 申請號: | 201410675995.1 | 申請日: | 2014-11-21 |
| 公開(公告)號: | CN104656370B | 公開(公告)日: | 2019-06-07 |
| 發明(設計)人: | 三好將之;坪井誠治 | 申請(專利權)人: | HOYA株式會社 |
| 主分類號: | G03F1/56 | 分類號: | G03F1/56;G03F1/26;G03F7/00 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 丁香蘭;龐東成 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光掩模 制造 方法 圖案 | ||
1.一種光掩模的制造方法,其為具有包含光學膜圖案的轉印用圖案的顯示裝置制造用的光掩模的制造方法,該光學膜圖案是含有Cr的光學膜在透明基板上進行圖案化而成的,
該光掩模的制造方法的特征在于,具有以下工序:
準備在所述透明基板上具有所述光學膜的光掩模中間體的工序;
對所述光學膜照射真空紫外線而將所述光學膜的膜質改質的改質工序;
在所述改質后的光學膜上涂布光致抗蝕膜的工序;
對所述光致抗蝕膜進行描繪和顯影而形成抗蝕圖案的工序;
使用所述抗蝕圖案對所述光學膜進行濕式蝕刻而形成所述光學膜圖案的蝕刻工序;和
除去所述抗蝕圖案的工序,
所述光學膜是相位偏移膜,其使對所述光掩模進行曝光的曝光光的代表波長的相位偏移大致180度,
在所述光學膜的改質工序中,通過利用20J/cm2~60J/cm2的照射能量進行所述真空紫外線的照射,從而對于所述光學膜的內部進行使所述光學膜的濕式蝕刻特性改變的改質,與不進行所述照射的情況相比,使由所述光學膜圖案形成而形成的所述光學膜的被蝕刻截面與所述透明基板表面接近垂直。
2.如權利要求1所述的光掩模的制造方法,其特征在于,所述光掩模中間體是在所述透明基板上至少形成有所述光學膜的光掩模坯。
3.如權利要求1所述的光掩模的制造方法,其特征在于,所述光掩模中間體是在所述透明基板上形成有膜圖案、進而至少形成有所述光學膜的層積中間體。
4.如權利要求1~3的任一項所述的光掩模的制造方法,其特征在于,在所述光學膜的改質工序中,將所述光學膜的厚度設為T時,對于從表面起在厚度方向至少T/3以上的所述光學膜內部進行使所述光學膜的濕式蝕刻特性改變的改質。
5.如權利要求1~3的任一項所述的光掩模的制造方法,其特征在于,所述光掩模是利用包含365nm~436nm的波長范圍的曝光光進行曝光的顯示裝置制造用光掩模。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





