[發明專利]高能量離子注入裝置、射束電流調整裝置及射束電流調整方法

在審

• 申請號: 201410675978.8
• 申請日: 2014-11-21
• 公開（公告）號: CN104658843A
• 公開（公告）日: 2015-05-27
• 發明（設計）人: 稻田耕二;加藤浩二
• 申請（專利權）人: 斯伊恩股份有限公司
• 主分類號: H01J37/317
• 分類號: H01J37/317;H01J37/21;H01J37/09
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 徐殿軍

1.一種高能量離子注入裝置,具有高能量多段直線加速單元，所述高能量離子注入裝置的特征在于，具備：

射束線構成要件，配設于所述高能量多段直線加速單元的上游或下游，并且形成離子束的會聚點；及

可變孔隙，配置于所述會聚點或其附近，并且被構成為調整所述會聚點的與所述離子束的會聚方向垂直的方向的射束寬度，以控制注入射束電流。

2.根據權利要求1所述的高能量離子注入裝置，其特征在于，

所述射束線構成要件配設為在所述高能量多段直線加速單元的上游形成所述會聚點，

所述可變孔隙配置于所述射束線構成要件的下游，以向所述高能量多段直線加速單元供給離子束，所述離子束具有通過所述可變孔隙而在與所述會聚方向垂直的方向上被調整的射束寬度。

3.根據權利要求1或2所述的高能量離子注入裝置，其特征在于，

所述射束線構成要件為具備質量分析狹縫的質量分析裝置，所述可變孔隙配置于緊接所述質量分析狹縫的后方。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的高能量離子注入裝置，其特征在于，

所述高能量離子注入裝置還具備控制裝置，所述控制裝置構成為，所述注入射束電流在關于第一離子注入處理的第一注入制法和后續的關于第二離子注入處理的第二注入制法中不同時，在所述第一離子注入處理與所述第二離子注入處理的間隙，利用可變孔隙調整關于與所述會聚方向垂直的方向的所述射束寬度，并在所述第一離子注入處理之后連續執行所述第二離子注入處理。

5.根據權利要求1所述的高能量離子注入裝置，其特征在于，

所述高能量離子注入裝置還具備用于通過所述高能量多段直線加速單元被加速的高能量離子束的射束整形器，

所述可變孔隙配設于所述高能量多段直線加速單元與所述射束整形器之間。

6.根據權利要求1所述的高能量離子注入裝置，其特征在于，

所述高能量離子注入裝置還具備用于通過所述高能量多段直線加速單元被加速的高能量離子束的射束掃描器，

所述可變孔隙配設于所述高能量多段直線加速單元與所述射束掃描器之間。

7.根據權利要求1至6中任一項所述的高能量離子注入裝置，其特征在于，

所述高能量離子注入裝置構成為通過所述可變孔隙確定所述注入射束電流。

8.根據權利要求7所述的高能量離子注入裝置，其特征在于，

所述高能量離子注入裝置還具備可以配設于所述可變孔隙的下游以測定所述注入射束電流的射束電流檢測器，

所述可變孔隙構成為，根據所述射束電流檢測器所測定的射束電流來確定所述注入射束電流。

9.根據權利要求1或2所述的高能量離子注入裝置，其特征在于，

所述可變孔隙配置于質量分析狹縫的正前方。

10.根據權利要求3或9所述的高能量離子注入裝置，其特征在于，

所述質量分析狹縫具有固定的狹縫。

11.根據權利要求3或9所述的高能量離子注入裝置，其特征在于，

所述質量分析狹縫構成為，在所述會聚方向能夠調整狹縫的位置及/或寬度。

12.根據權利要求1至11中任一項所述的高能量離子注入裝置，其特征在于，

所述可變孔隙具備構成為能夠沿著與所述會聚方向垂直的方向移動的至少一個孔隙板

13.根據權利要求1至12中任一項所述的高能量離子注入裝置，其特征在于，

所述高能量離子注入裝置還具備高能量射束的偏轉單元，所述高能量射束的偏轉單元將通過所述高能量多段直線加速單元被加速的高能量離子束朝向基板進行方向轉換。

14.一種用于離子注入裝置的射束電流調整裝置，其特征在于，

所述射束電流調整裝置具備可變孔隙，所述可變孔隙配置于離子束的會聚點或其附近，并且被構成為，調整所述會聚點的與所述離子束的會聚方向垂直的方向的射束寬度，以控制注入射束電流。

15.根據權利要求14所述的射束電流調整裝置，其特征在于，

所述可變孔隙配置于緊接質量分析狹縫的后方。

16.一種射束電流調整方法，用于具有高能量多段直線加速單元的高能量離子注入裝置，所述射束電流調整方法的特征在于，具備以下步驟：

將離子束會聚于在所述高能量多段直線加速單元的上游或下游形成的會聚點，及

利用配置于所述會聚點或其附近的可變孔隙調整與所述離子束的會聚方向垂直的方向的射束寬度，以控制注入射束電流。