[發(fā)明專利]一種IO口間無相互干擾的低電容多通道瞬態(tài)電壓抑制器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410673950.0
• 申請日: 2014-11-21
• 公開（公告）號: CN104465649B
• 公開（公告）日: 2017-10-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 蔡銀飛;翟東媛;蔣金鴻;朱俊;趙毅
• 申請（專利權(quán)）人: 紹興米來電子科技有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L27/06;H01L21/8222;H01L21/265
• 代理公司: 南京瑞弘專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙)32249
• 代理人: 陳建和

1.一種低電容多通道瞬態(tài)電壓抑制器，其特征在于：包括P+半導(dǎo)體襯底，P-外延層位于P+半導(dǎo)體襯底上；外延層上從左到右分別有包含第一環(huán)形P+有源注入?yún)^(qū)的左端，第一N阱，第一環(huán)形P+有源注入?yún)^(qū)的右端，第二N阱，第一P阱，第三N阱，第二環(huán)形P+有源注入?yún)^(qū)的左端，第四N阱，第二環(huán)形P+有源注入?yún)^(qū)的右端；

所述的第一N阱和第四N阱上分別設(shè)有第一N+有源注入?yún)^(qū)和第五N+有源注入?yún)^(qū)；

所述的第二N阱上設(shè)有第二N+有源注入?yún)^(qū)和第二P+有源注入?yún)^(qū)；

所述的第一P阱上設(shè)有第三N+有源注入?yún)^(qū)；

所述的第三N阱上設(shè)有第四N+有源注入?yún)^(qū)和第三P+有源注入?yún)^(qū)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低電容多通道瞬態(tài)電壓抑制器，其特征在于：所述的P+半導(dǎo)體襯底摻雜濃度為1*10¹⁸_~5*10¹⁸atom/cm³。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低電容多通道瞬態(tài)電壓抑制器，其特征在于：所述的P-外延層摻雜濃度為1*10¹³_~5*10¹³atom/cm³，厚度為19_~20μm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低電容多通道瞬態(tài)電壓抑制器，其特征在于：所述的第一、二、三、四N阱的摻雜濃度為1*10¹⁵_~5*10¹⁵atom/cm³，深度為4_~5μm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低電容多通道瞬態(tài)電壓抑制器，其特征在于：所述的第一P阱的摻雜濃度為1*10¹⁸atom/cm³(表層濃度)，濃度逐漸減少到外延層濃度，深度為9-10μm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低電容多通道瞬態(tài)電壓抑制器，其特征在于：所述的第一、二、三、四、五N+有源注入?yún)^(qū)的摻雜濃度為5*10¹⁸_~1*10²⁰atom/cm³；深度為1-2μm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低電容多通道瞬態(tài)電壓抑制器，其特征在于：所述的第一、二、三、四P+有源注入?yún)^(qū)的摻雜濃度為1*10¹⁹_~1*10²⁰atom/cm³，深度為1_~1.5μm。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低電容多通道瞬態(tài)電壓抑制器，其特征在于：所述的第一P+有源區(qū)環(huán)繞第一N阱，所以從截面圖能看到，第一N 阱的左右兩邊都是第一P+有源區(qū)；同樣，所述的第二環(huán)形P+有源注入?yún)^(qū)環(huán)繞第四N阱，所以從截面圖能看到，第四N 阱的左右兩邊也都是第四P+有源區(qū)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1-8之一所述的低電容多通道瞬態(tài)電壓抑制器的瞬態(tài)電壓抑制方法，其特征在于：所述的瞬態(tài)電壓抑制器的某一個IO口對GND等效電路有一個正向二極管、一個齊納穩(wěn)壓管和一個反向二級管組成，其中正向通過一個齊納二極管與一個小電容的正向二極管相連來泄放高于被保護電路工作電壓的浪涌電流，反向通過一個單純的反向二極管來泄放電流；其中齊納二極管在襯底的中央，齊納二極管的兩側(cè)是正向二極管，正向二極管的兩側(cè)為反向二極管；每個IO口連接正向二極管的正向端和反向二極管的反向端；齊納二極管接兩側(cè)正向二極管的反向端。