[發(fā)明專利]一種低雜質(zhì)含量的太陽能電池制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410673917.8
• 申請(qǐng)日: 2014-11-21
• 公開（公告）號(hào): CN104538487A
• 公開（公告）日: 2015-04-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 石強(qiáng);秦崇德;方結(jié)彬;黃玉平;何達(dá)能
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 廣東愛康太陽能科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/18
• 分類號(hào): H01L31/18
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利代理有限公司 44202
• 代理人: 溫旭

1.一種低雜質(zhì)含量的太陽能電池制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

A．用HF酸對(duì)硅片進(jìn)行預(yù)處理，除去所述硅片表面的污垢；

B．氧化所述硅片并在所述硅片的正面和背面形成第一氧化硅層；

C．對(duì)所述硅片進(jìn)行第一次快速退火處理，以激活所述硅片中的雜質(zhì)遷移至所述第一氧化硅層；

D．對(duì)所述硅片進(jìn)行濕法制絨，去除所述第一氧化硅層；

E．將制絨后的所述硅片放入擴(kuò)散爐內(nèi)進(jìn)行熱擴(kuò)散；

F．將所述硅片置于HF溶液酸槽中浸泡，去除磷硅玻璃層；

G．將去除磷硅玻璃層的所述硅片再次氧化，并在所述硅片的正面和背面形成第二氧化硅層；

H．對(duì)所述硅片進(jìn)行第二次快速退火處理，進(jìn)一步激活所述硅片中少量的雜質(zhì)遷移至所述第二氧化硅層；

I．將經(jīng)第二次快速退火處理的所述硅片用HF酸處理，去除所述第二氧化硅層；

J．在所述硅片正面形成氮化硅減反膜；

K．在所述硅片正面形成正電極，所述硅片背面形成背電極和鋁背場(chǎng)；

L．燒結(jié)。

2.如權(quán)利要求1所述低雜質(zhì)含量的太陽能電池制備方法，其特征在于，所述步驟B和所述步驟G中對(duì)所述硅片的氧化方式采用臭氧氧化方式，控制溫度在20-300℃范圍內(nèi)，所述臭氧的體積濃度為10%-50%，反應(yīng)時(shí)間為10-300s；

所述臭氧氧化方式形成的所述第一氧化硅層和所述第二氧化硅層的厚度為1-15?nm。

3.如權(quán)利要求2所述低雜質(zhì)含量的太陽能電池制備方法，其特征在于，采用臭氧氧化方式對(duì)所述硅片進(jìn)行氧化時(shí)，采用氮?dú)庾鳛楸Ｗo(hù)氣體。

4.如權(quán)利要求1所述低雜質(zhì)含量的太陽能電池制備方法，其特征在于，所述步驟B和步驟G中對(duì)所述硅片的氧化方式采用硝酸氧化方式，將所述硅片浸泡在質(zhì)量濃度為5%-30%的硝酸溶液中，反應(yīng)時(shí)間為100-600s；

所述硝酸氧化方式形成的所述第一氧化硅層和所述第二氧化硅層的厚度為1-20nm。

5.如權(quán)利要求1所述低雜質(zhì)含量的太陽能電池制備方法，其特征在于，所述步驟A用HF酸對(duì)所述硅片進(jìn)行預(yù)處理的具體步驟為：將所述硅片浸沒在質(zhì)量濃度為5%-20%的HF酸中20-200s，去除所述硅片表面的污垢。

6.如權(quán)利要求1所述低雜質(zhì)含量的太陽能電池制備方法，其特征在于，所述步驟C對(duì)所述硅片的第一次快速退火處理，控制溫度在650-950℃范圍內(nèi)，處理時(shí)間為10-100s。

7.如權(quán)利要求1所述低雜質(zhì)含量的太陽能電池制備方法，其特征在于，所述步驟H對(duì)所述硅片的第二次快速退火處理，控制溫度在650-950℃范圍內(nèi)，處理時(shí)間為10-100s。

8.如權(quán)利要求1所述低雜質(zhì)含量的太陽能電池制備方法，其特征在于，所述步驟?E的熱擴(kuò)散為對(duì)所述硅片的雙面進(jìn)行磷擴(kuò)散。

9.如權(quán)利要求1所述低雜質(zhì)含量的太陽能電池制備方法，其特征在于，所述步驟J利用PECVD方法或者磁控濺射方法，在所述硅片正面鍍單層氮化硅、多層氮化硅或氮化硅/二氧化硅疊層減反膜。

10.如權(quán)利要求1所述低雜質(zhì)含量的太陽能電池制備方法，其特征在于，所述步驟K利用絲網(wǎng)印刷或者電鍍技術(shù)在硅片的正面形成Ag電極或者Cu電極，利用絲網(wǎng)印刷在硅片背面形成Al背場(chǎng)和Ag背電極。