[發(fā)明專利]一種太陽(yáng)能電池無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410673913.X | 申請(qǐng)日: | 2014-11-21 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN104393059A | 公開(kāi)(公告)日: | 2015-03-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 郭文錦;黃繼昌;駱?biāo)?/a> | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 廣西智通節(jié)能環(huán)保科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L31/0216 | 分類號(hào): | H01L31/0216 |
| 代理公司: | 廣州三環(huán)專利代理有限公司 44202 | 代理人: | 溫旭 |
| 地址: | 545001 廣西壯族自治區(qū)柳*** | 國(guó)省代碼: | 廣西;45 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 太陽(yáng)能電池 | ||
1.一種太陽(yáng)能電池,具有:含第一摻雜類型的基底層,它與極性相反的第二摻雜類型的正面層形成一個(gè)界面;帶有至少一個(gè)正面接觸件和至少一個(gè)背面接觸件,其中,在基底層和背面接觸件之間具有一第一鈍化層和一隧道接觸層,在鈍化層和基底層之間裝有一個(gè)由a-Si構(gòu)成的本征層,鈍化層由與基底層極性相同的摻雜材料構(gòu)成,在基底層背面未被背面接觸件覆蓋的部分以及背面接觸件上形成有第二鈍化層,所述第二鈍化膜的折射率在2.6以上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池,其特征在于,所述第一鈍化層由無(wú)定形硅構(gòu)成,所述隧道接觸層由微晶體硅構(gòu)成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池,其特征在于,所述隧道接觸層具有第一高摻雜層和極性相反的第二高摻雜層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的太陽(yáng)能電池,其特征在于,所述基底層為p型摻雜,所述正面層為n型摻雜,所述隧道接觸層具有一個(gè)p+型高摻雜層和一個(gè)n+型高摻雜層。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的太陽(yáng)能電池,其特征在于,所述隧道接觸層具有第一摻雜層和極性相同的第二高摻雜層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的太陽(yáng)能電池,其特征在于,基底層為p型摻雜,正面層為n型摻雜,隧道接觸層具有第一個(gè)p型摻雜層和第二個(gè)p+型高摻雜層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池,其特征在于,在隧道接觸層和背面接觸層之間設(shè)置有一個(gè)可導(dǎo)電的透明材料層,該透明材料層由氧化鋅、氧化銦錫或一種可導(dǎo)電的聚合物構(gòu)成。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的太陽(yáng)能電池,其特征在于,至少其鈍化層、隧道接觸層或本征層含有原子百分比濃度為1到20的氫。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的太陽(yáng)能電池,其特征在于,基底材料由單晶體硅或多晶體硅構(gòu)成。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池,其特征在于,所述正面層上還配有一個(gè)鈍化層,該鈍化層在正面接觸區(qū)域內(nèi)中斷。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門(mén)適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過(guò)該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





