[發(fā)明專利]開關(guān)電路及高頻模塊有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410673640.9 | 申請(qǐng)日： | 2014-11-21 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN104733810B | 公開（公告）日： | 2019-06-21 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 岸本健 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 株式會(huì)社村田制作所 |
| 主分類號(hào)： | H01P1/15 | 分類號(hào)： | H01P1/15;H03K17/693;H04B1/44 |
| 代理公司： | 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100 | 代理人： | 干欣穎 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 開關(guān)電路 高頻 模塊 | ||
本發(fā)明提供一種不易受諧振頻率的影響，且能抑制隔離特性的變動(dòng)的開關(guān)電路以及包括該開關(guān)電路的高頻模塊。開關(guān)電路(10)包括：第一輸出輸入端子(T1)、第二輸入輸出端子(T2)、第三輸入輸出端子(T3)、第一晶體管(11)、第二晶體管(12)、電感器(14)、電阻(16)。第一晶體管(11)電連接在第一輸入輸出端子(T1)和第二輸入輸出端子(T2)之間。第二晶體管(12)電連接在第一輸入輸出端子(T1)和第三輸入輸出端子(T3)之間。電感器(14)及電阻(16)串聯(lián)電連接在第二輸入輸出端子(T2)和第三輸入輸出端子(T3)之間。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及開關(guān)電路及具備該開關(guān)電路的高頻模塊。
背景技術(shù)
高頻開關(guān)是用于切換高頻信號(hào)的傳輸路徑的開關(guān)。例如，在移動(dòng)電話或無線LAN(Local Area Network：局域網(wǎng))等這樣的無線通信設(shè)備中，高頻開關(guān)用于切換各頻帶(Band)、或者用于在發(fā)送信號(hào)的傳輸路徑和接收信號(hào)的傳輸路徑之間進(jìn)行相互切換。
例如，日本專利特開平9-107203號(hào)公報(bào)(專利文獻(xiàn)1)中公開了SPDT(Single PoleDouble Throw：單刀雙擲)開關(guān)電路。該開關(guān)電路的目的在于獲得所期望頻率下的高隔離性。開關(guān)電路對(duì)第一傳輸路徑和第二傳輸路徑進(jìn)行切換，該第一傳輸路徑從輸入輸出端子向接收端子傳輸信號(hào)，該第二傳輸路徑從發(fā)送端子向輸入輸出端子傳輸信號(hào)。開關(guān)電路包括設(shè)置于發(fā)送端子與接收端子之間的電感器。
現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)1：日本專利特開平9-107203號(hào)公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明所要解決的問題
根據(jù)上述文獻(xiàn)，由FET(場效應(yīng)晶體管)具有的寄生電容和電感器構(gòu)成諧振電路。諧振電路的諧振頻率設(shè)定為使用頻率。由此，在該使用頻率中，能期待實(shí)現(xiàn)較高的隔離性。
然而，開關(guān)電路的隔離性越高，在包含該使用頻率的規(guī)定頻帶中，隔離性的偏差變大。因電感值的偏離或者FET寄生電容的偏離這樣的原因而導(dǎo)致諧振頻率發(fā)生變動(dòng)。因而，可能會(huì)發(fā)生如下問題：在隔離性的偏差較大的情況下，由于諧振頻率發(fā)生變動(dòng)，因此在具有相同結(jié)構(gòu)的多個(gè)開關(guān)電路之間隔離特性較大偏離。
因而，本發(fā)明的目的在于，提供一種不易受諧振頻率的影響，且能抑制隔離特性的變動(dòng)的開關(guān)電路以及包括該開關(guān)電路的高頻模塊。
解決技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案
本發(fā)明的一個(gè)方面所涉及的開關(guān)電路包括：第一輸入輸出端子；第二輸入輸出端子；第三輸入輸出端子；第一FET，其將源極端以及漏極端中的一方與第一輸入輸出端子電連接，且將源極端及漏極端中的另一方與第二輸入輸出端子電連接；第二FET，其將源極端以及漏極端中的一方與第一輸入輸出端子電連接，且將源極端及漏極端中的另一方與第三輸入輸出端子電連接；以及串聯(lián)電連接在第二輸入輸出端子與第三輸入輸出端子之間的電感器及電阻。
優(yōu)選為，第一FET及第二FET中的至少一方包含串聯(lián)連接在第一輸入輸出端子、與第二及第三輸入輸出端子中對(duì)應(yīng)的輸入輸出端子之間的多個(gè)FET元件。多個(gè)FET元件中的各FET元件的控制端子構(gòu)成為接受共用的旁路電壓。
優(yōu)選為，開關(guān)電路的所有結(jié)構(gòu)要素集成于半導(dǎo)體基板。
優(yōu)選為電感器包含通過將導(dǎo)線卷繞于半導(dǎo)體基板的表面而形成的螺旋電感器。
優(yōu)選為，電阻包含螺旋電感器的電阻分量。
優(yōu)選為，導(dǎo)線的線寬在5μm以下。
優(yōu)選為，導(dǎo)線的厚度在2μm以下。
本發(fā)明的其它方面所涉及的高頻模塊包括：上述開關(guān)電路；以及低噪聲放大器，其具備與第二輸入輸出端子相連接的輸入端。
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