[發(fā)明專利]基于柔性基底的可延展導(dǎo)電薄膜及其制備工藝

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410671327.1
• 申請(qǐng)日: 2014-11-21
• 公開（公告）號(hào): CN104392904A
• 公開（公告）日: 2015-03-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 秦歌;李娟娟;李好學(xué);周紅梅;明平美
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 河南理工大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L21/02
• 分類號(hào): H01L21/02
• 代理公司: 鄭州聯(lián)科專利事務(wù)所(普通合伙) 41104
• 代理人: 王聚才;朱俊峰

1.基于柔性基底的可延展導(dǎo)電薄膜，其特征在于：包括柔性基底、金屬底膜、金屬薄膜和導(dǎo)電高分子材料薄膜，金屬底膜設(shè)置在柔性基底表面，金屬薄膜和導(dǎo)電高分子材料薄膜呈柵格結(jié)構(gòu)交替設(shè)置在金屬底膜上，導(dǎo)電高分子材料薄膜的厚度與金屬薄膜相同。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于柔性基底的可延展導(dǎo)電薄膜，其特征在于：所述柔性基底由柔性高分子材料制成。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基于柔性基底的可延展導(dǎo)電薄膜，其特征在于：所述金屬薄膜由導(dǎo)電性好的金屬制成，金屬薄膜的厚度為納米或微米級(jí)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基于柔性基底的可延展導(dǎo)電薄膜，其特征在于：所述導(dǎo)電高分子材料薄膜由導(dǎo)電性良好的柔性高分子材料制成，所述高分子材料薄膜厚度與金屬薄膜平齊。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的基于柔性基底的可延展導(dǎo)電薄膜，其特征在于：所述金屬底膜的厚度為十幾或幾十納米。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基于柔性基底的可延展導(dǎo)電薄膜的制備工藝，其特征在于：包括以下步驟，

1）、清洗硅片，通過熱氧化工藝在硅片表面形成一層二氧化硅層；?

2）、在二氧化硅表面均勻涂覆一層柔性高分子材料，熱固化形成柔性基底；

3）、制備金屬底膜：在柔性基底上采用濺射或蒸發(fā)工藝制備一層金屬作為金屬底膜；

4）、制備具有柵格結(jié)構(gòu)的金屬薄膜：若制備的金屬薄膜為難腐蝕材料，采用光刻、濺射、剝離工藝制備；若金屬薄膜為易腐蝕材料，則選用濺射、光刻、刻蝕工藝制備；

5）、采用噴膠、光刻工藝，將光刻膠曝光顯影在金屬薄膜上得到光刻膠掩膜層圖案；

6）、采用電化學(xué)聚合工藝在相鄰兩塊金屬薄膜之間的柵格結(jié)構(gòu)間制備導(dǎo)電高分子材料薄膜；

7）、采用光刻膠清洗劑去除光刻膠掩膜層，得到金屬薄膜和導(dǎo)電高分子材料薄膜交替排列的柵格結(jié)構(gòu)；

8）、用氫氟酸的緩沖液腐蝕掉二氧化硅層，釋放出基于柔性基底的可延展導(dǎo)電薄膜整體結(jié)構(gòu)，制備完成。