[發明專利]PTSL工藝方法、鰭式場效應晶體管的制造方法

在審

• 申請號: 201410671043.2
• 申請日: 2014-11-20
• 公開（公告）號: CN105679659A
• 公開（公告）日: 2016-06-15
• 發明（設計）人: 秦長亮;殷華湘;李俊峰;趙超
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L21/265
• 分類號: H01L21/265;H01L21/336
• 代理公司: 北京維澳專利代理有限公司 11252
• 代理人: 黨麗;吳蘭柱

1.一種PTSL工藝方法，其特征在于，包括步驟：

提供襯底，襯底中形成有相互隔離的鰭；

進行第一次離子注入，第一次離子注入為PTSL注入；

進行第二次離子注入，第二次離子注入的劑量和能量小于第一次離子 注入的劑量和能量。

2.根據權利要求1所述的工藝方法，其特征在于，第二次離子注入的 角度不小于第一離子注入的角度。

3.根據權利要求1所述的工藝方法，其特征在于，第一次離子注入的 角度范圍為0-45°，劑量范圍為1E12至1E14cm^-2，能量范圍為10至 150KEV。

4.根據權利要求1所述的工藝方法，其特征在于，第二次離子注入的 角度范圍為0-45°，劑量范圍為1E12至1E14cm^-2，能量范圍為500EV至 50KEV。

5.根據權利要求1所述的工藝方法，其特征在于，第一次離子注入的 劑量范圍為5E12至5E13cm^-2，能量范圍為30至80KEV，角度范圍為0-7°。

6.根據權利要求5所述的工藝方法，其特征在于，第二次離子注入的 劑量范圍為5E12至5E13cm^-2，能量范圍為1至10KEV。

7.根據權利要求6所述的工藝方法，其特征在于，第二次離子注入的 角度0-30°。

8.一種鰭式場效應晶體管的制造方法，其特征在于，包括權利要求1-7 中任一項所述的工藝方法。