[發明專利]抑制雙極化波導縫陣天線交叉極化的微波吸收結構和方法有效
| 申請號： | 201410669607.9 | 申請日： | 2014-11-20 |
| 公開（公告）號： | CN105680180B | 公開（公告）日： | 2018-11-16 |
| 發明（設計）人： | 方峪楓;鄢學全;袁淵 | 申請（專利權）人： | 中國航空工業集團公司雷華電子技術研究所 |
| 主分類號： | H01Q17/00 | 分類號： | H01Q17/00 |
| 代理公司： | 中國航空專利中心 11008 | 代理人： | 杜永保 |
| 地址： | 214063 *** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 抑制 極化 波導 天線 交叉 微波 吸收 結構 方法 | ||
1.抑制雙極化波導縫陣天線交叉極化的微波吸收結構，其特征在于，微波吸收結構采用長方體，長方體的長度等于水平極化波導寬邊縫陣(1)的單元數乘以半個波導波長；長方體的寬度小于垂直極化波導窄邊縫陣(2)的縫隙到水平極化波導寬邊縫陣(1)上表面的距離，長方體的厚度為在工作頻帶內的0.01至0.05個波長，長方體上面每隔半個波導波長剪去一個小長方體狀的凹口，所剪去的凹口輪廓比波導窄邊縫的輪廓大0.02至0.04個波長，所述微波吸收結構粘貼在垂直極化波導窄邊縫陣(2)外表面與水平極化波導寬邊縫陣(1)上表面相交的地方。
2.抑制雙極化波導縫陣天線交叉極化的方法，其特征在于，包括以下步驟：
2.1、微波吸收結構(3)的材料選?。何⒉ㄎ战Y構(3)材料的厚度為在工作頻帶內的0.01至0.05個波長，反射率在-10dB以下；
2.2、微波吸收結構(3)的初次裁剪：微波吸收結構(3)被裁剪成多條長方體，其數目等于垂直極化波導窄邊縫陣(2)條數的2倍，每條長方體的長度等于垂直極化波導窄邊縫陣(2)的單元數乘以半個波導波長；每條長方體的寬度小于垂直極化波導窄邊縫陣(2)的縫隙到水平極化波導寬邊縫陣(1)上表面的距離，厚度為微波吸收結構(3)材料本身的厚度；
2.3、微波吸收結構(3)的再次裁剪：在初次裁剪后的每條長方體上面每隔半個波導波長剪去一個小長方體狀的凹口，所剪去的凹口內壁距離波導窄邊縫為0.02至0.04個波長；
2.4、微波吸收結構(3)的粘貼：將再次裁剪后的長方體的較寬的一面粘貼在垂直極化波導窄邊縫陣(2)的每條子陣波導兩側波導壁上，并且長方體較窄的一面粘貼在水平極化寬邊縫陣波導上表面上。
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