[發明專利]區分CMP工藝后襯底上劃傷缺陷與顆粒缺陷的方法

有效

• 申請號: 201410667930.2
• 申請日: 2014-11-20
• 公開（公告）號: CN104377146A
• 公開（公告）日: 2015-02-25
• 發明（設計）人: 李協吉;李儒興;程君;陶仁峰;胡海天
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種區分CMP工藝后襯底上劃傷缺陷與顆粒缺陷的方法，所述襯底預先經過缺陷掃描，在所述缺陷掃描之后，其特征在于，還包括：利用酸性溶液對所述襯底進行清洗；對清洗后的襯底再次進行缺陷掃描；將清洗后的襯底上的缺陷掃描結果與清洗前的襯底上的缺陷掃描結果進行對比，若清洗后襯底上的缺陷數目變多，則該CMP工藝在該襯底上形成的缺陷劃傷缺陷，若清洗后襯底上的缺陷數目減少，則該CMP工藝在該襯底上形成的缺陷為顆粒缺陷。

2.如權利要求1所述的區分CMP工藝后襯底上劃傷缺陷與顆粒缺陷的方法，其特征在于，所述酸性溶液濃度為0.4％-0.1％。

3.如權利要求1所述的區分CMP工藝后襯底上劃傷缺陷與顆粒缺陷的方法，其特征在于，所述缺陷掃描利用SP1設備進行。

4.如權利要求3所述的區分CMP工藝后襯底上劃傷缺陷與顆粒缺陷的方法，其特征在于，所述SP1設備掃描的顆粒缺陷和劃傷缺陷的尺寸大于0.2微米。

5.如權利要求1所述的區分CMP工藝后襯底上劃傷缺陷與顆粒缺陷的方法，其特征在于，所述襯底的材質為硅。

6.如權利要求1所述的區分CMP工藝后襯底上劃傷缺陷與顆粒缺陷的方法，其特征在于，所述酸性溶液為氫氟酸溶液。

7.如權利要求6所述的區分CMP工藝后襯底上劃傷缺陷與顆粒缺陷的方法，其特征在于，所述氫氟酸溶液的濃度范圍為0.4％-0.1％。

8.如權利要求1所述的區分CMP工藝后襯底上劃傷缺陷與顆粒缺陷的方法，其特征在于，所述清洗時間為1-50秒。

9.如權利要求8所述的區分CMP工藝后襯底上劃傷缺陷與顆粒缺陷的方法，其特征在于，所述清洗時間為5-30秒。

10.如權利要求1所述的區分CMP工藝后襯底上劃傷缺陷與顆粒缺陷的方法，其特征在于，預先缺陷掃描與清洗后的缺陷掃描采用相同的掃描程序進行。