[發(fā)明專利]用于線陣列微納焦點(diǎn)X射線源的點(diǎn)狀串列靶有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410667869.1 | 申請日： | 2014-11-13 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN104465277A | 公開（公告）日： | 2015-03-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 周日峰;李曉斌;王玨;陳贊 | 申請（專利權(quán)）人： | 重慶大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | H01J35/02 | 分類號(hào)： | H01J35/02;A61N5/10 |
| 代理公司： | 北京同恒源知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11275 | 代理人： | 趙榮之 |
| 地址： | 400044 重*** | 國省代碼： | 重慶;85 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 用于 陣列 焦點(diǎn) 射線 串列 | ||
1.用于線陣列微納焦點(diǎn)X射線源的點(diǎn)狀串列靶，其特征在于：包括靶基和設(shè)置在靶基上的點(diǎn)狀串列靶點(diǎn)，所述點(diǎn)狀串列靶點(diǎn)包括若干個(gè)點(diǎn)狀靶點(diǎn)，若干個(gè)點(diǎn)狀靶點(diǎn)按一定的距離間隔排列，所述靶點(diǎn)轉(zhuǎn)化X射線的能力遠(yuǎn)大于靶基。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于線陣列微納焦點(diǎn)X射線源的點(diǎn)狀串列靶，其特征在于：所述靶點(diǎn)的材料為鎢、鉭、鉑、金等高原子序數(shù)、高密度金屬材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于線陣列微納焦點(diǎn)X射線源的點(diǎn)狀串列靶，其特征在于：所述靶點(diǎn)呈長方體狀，其高度H為5～10μm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于線陣列微納焦點(diǎn)X射線源的點(diǎn)狀串列靶，其特征在于：兩靶點(diǎn)間的距離大于靶點(diǎn)長度w值的10～15倍。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于線陣列微納焦點(diǎn)X射線源的點(diǎn)狀串列靶，其特征在于：所述靶基的厚度D為200～300μm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于線陣列微納焦點(diǎn)X射線源的點(diǎn)狀串列靶，其特征在于：入射到靶面的電子束口徑可大于靶點(diǎn)長度w的尺寸2～4倍。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于線陣列微納焦點(diǎn)X射線源的點(diǎn)狀串列靶，其特征在于：所述靶基的材料為鈹、金剛石等低原子序數(shù)材料。
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