[發明專利]一種在石墨烯片上可控制備納米顆粒的普適方法在審
| 申請號： | 201410667467.1 | 申請日： | 2014-11-18 |
| 公開（公告）號： | CN104404504A | 公開（公告）日： | 2015-03-11 |
| 發明（設計）人： | 何輝;王海波;李凱;董晶;曾祥華 | 申請（專利權）人： | 揚州大學 |
| 主分類號： | C23C24/08 | 分類號： | C23C24/08;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 南京中新達專利代理有限公司 32226 | 代理人： | 孫鷗;朱杰 |
| 地址： | 225009 *** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 石墨 烯片上 可控 制備 納米 顆粒 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種在石墨烯片上可控制備納米顆粒的普適方法，其特征在于步驟如下：
(1)選取氧化石墨烯的膠體水溶液以及高純Ag靶；
(2)將Ag靶懸置于氧化石墨烯膠體溶液中，并且用磁力攪拌器不停攪拌膠體水溶液；
(3)采用激光器輻照靶材；
(4)改變輻照時間長短和激光功率大小調控Ag納米顆粒的密度和尺寸。
2.根據權利要求1所述的一種在石墨烯片上可控制備納米顆粒的普適方法，其特征在于步驟(1)中，膠體水溶液中氧化石墨烯和H2O的質量比為0.2％。
3.根據權利要求1所述的一種在石墨烯片上可控制備納米顆粒的普適方法，其特征在于步驟(3)中，選取波長為1064nm、頻率10Hz、功率大于40mJ/pulse的Nd：YAG激光器。
4.根據權利要求1所述的一種在石墨烯片上可控制備納米顆粒的普適方法，其特征在于步驟(3)中，經激光器輻照靶材后在GO片上較均勻生長Ag納米顆粒。
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