[發明專利]碳化硅冶煉方法

有效

• 申請號: 201410666277.8
• 申請日: 2014-11-20
• 公開（公告）號: CN104477917A
• 公開（公告）日: 2015-04-01
• 發明（設計）人: 朱立起;胡順武;顧小方;李佩健
• 申請（專利權）人: 江蘇樂園新材料集團有限公司
• 主分類號: C01B31/36
• 分類號: C01B31/36
• 代理公司: 連云港潤知專利代理事務所 32255
• 代理人: 劉喜蓮

1.一種碳化硅冶煉方法，其特征在于，其步驟如下：

（1）SiC晶種處理：根據碳化硅晶型不同選擇不同晶型的碳化硅作為晶種，對已選擇的將作為晶種的碳化硅進行如下處理：先對碳化硅進行破碎處理篩分處理，選取粒徑達到3~8毫米的碳化硅進行提純處理，提純采用酸洗方法，然后用純水進行沖洗至pH值在6.5~7.5，烘干；

（2）碳化硅晶種的添加：碳化硅晶種的添加位置以及添加量如下：以石墨電極為中心，在0~10cm內放置6H碳化硅晶種，添加的晶種占混料質量百分比的0.1%~5%，在10cm~25cm范圍內放置6H碳化硅晶種，添加的晶種占混料質量百分比的0.3%~8%，在25cm~40cm范圍內放置4H碳化硅晶種，添加的晶種占混料質量百分比的1%~10%。

2.根據權利要求1所述的一種碳化硅冶煉方法，其特征在于：在步驟（1）中，提純采用質量濃度為10%-15%的氫氟酸進行酸洗。

3.根據權利要求2所述的一種碳化硅冶煉方法，其特征在于：在步驟（1）中，提純采用質量濃度為12%的氫氟酸進行酸洗。

4.根據權利要求1所述的一種碳化硅冶煉方法，其特征在于：在步驟（1）中，酸洗后純水進行沖洗至pH值在6.9~7.2。

5.根據權利要求1所述的一種碳化硅冶煉方法，其特征在于：在步驟（2）中，在0~10cm內放置6H碳化硅晶種占混料質量百分比的1%~2%，在10cm~25cm范圍內放置6H碳化硅晶種占混料質量百分比的2%~4%，在25cm~40cm范圍內放置4H碳化硅晶種占混料質量百分比的3%~6%。

6.根據權利要求5所述的一種碳化硅冶煉方法，其特征在于：在步驟（2）中，在0~10cm內放置6H碳化硅晶種占混料質量百分比的1.5%，在10cm~25cm范圍內放置6H碳化硅晶種占混料質量百分比的3%，在25cm~40cm范圍內放置4H碳化硅晶種占混料質量百分比的4.5%。