[發(fā)明專利]一種硅電容麥克風(fēng)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410666070.0
• 申請日: 2014-11-19
• 公開（公告）號: CN105681990B
• 公開（公告）日: 2019-09-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 萬蔡辛;楊少軍
• 申請（專利權(quán)）人: 共達(dá)電聲股份有限公司;深圳市共達(dá)電聲科技有限公司
• 主分類號: H04R19/04
• 分類號: H04R19/04
• 代理公司: 濟(jì)南舜源專利事務(wù)所有限公司 37205
• 代理人: 李江

1.一種硅電容麥克風(fēng)，包括基板、振膜和背極；所述基板上設(shè)有一個聲腔； 所述振膜設(shè)于所述聲腔上部，被聲壓波激發(fā)時(shí)產(chǎn)生機(jī)械振動；所述背極位于所 述振膜上部，在所述背極與所述振膜之間設(shè)置有固定的氣隙，所述振膜、所述 背極與所述氣隙共同形成電容器；其特征在于，還包括固定連接在所述振膜和 所述背極之間的一個或多個絕緣的中部連接，所述一個或多個絕緣的中部連接 將所述振膜分為多個振膜單元；所述背極是柔性的，且所述背極的自振頻率不 超過所述振膜單元的自振頻率最大值的5倍。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅電容麥克風(fēng)，其特征在于，所述振膜的材料為 摻雜多晶硅，通過淀積的工藝實(shí)現(xiàn)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅電容麥克風(fēng)，其特征在于，各個振膜單元之間 根據(jù)電氣引線需要進(jìn)行串聯(lián)或并聯(lián)，以形成不同的電容值。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅電容麥克風(fēng)，其特征在于,各個振膜單元之間的 面積之差不超過50％。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅電容麥克風(fēng)，其特征在于，所述振膜單元的邊 緣設(shè)置開槽，以形成各個振膜單元之間的電絕緣和空間結(jié)構(gòu)上的隔離。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅電容麥克風(fēng)，其特征在于,所述振膜單元的邊界 上設(shè)置反向濃摻雜，使各個振膜單元之間通過PN結(jié)隔離的方式保持電絕緣并維 持空間結(jié)構(gòu)上的連接。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅電容麥克風(fēng)，其特征在于，在襯底上僅設(shè)置對 背極固定的錨區(qū)，而所述振膜與所述襯底之間不存在機(jī)械連接。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅電容麥克風(fēng)，其特征在于，各個振膜單元之間 具有相同的或者呈函數(shù)關(guān)系的自振頻率。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅電容麥克風(fēng)，其特征在于，所述振膜單元的形 狀是三角形、四邊形或正六邊形中的任一種。