[發明專利]NMOS器件的硅襯底表面的處理方法及NMOS器件的制作方法

有效

• 申請號: 201410664725.0
• 申請日: 2014-11-19
• 公開（公告）號: CN104392919B
• 公開（公告）日: 2018-03-30
• 發明（設計）人: 肖天金
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/308
• 分類號: H01L21/308;H01L21/336
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙)31237
• 代理人: 王宏婧

1.一種NMOS器件的硅襯底表面的處理方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟(1)：提供一硅襯底；

步驟(2)：采用干法刻蝕在所述硅襯底上形成凹槽；

步驟(3)：使用酸槽一將用于掩模的光阻去除，所述步驟(3)中酸槽一為第一酸槽、第二酸槽和第三酸槽，所述第一酸槽內含有H₂O₂和濃H₂SO₄，所述第二酸槽內含有NH₄OH、H₂O₂以及H₂O，所述第三酸槽內含有HCl、H₂O₂以及H₂O；

步驟(4)：使用酸槽二清洗步驟(3)的凹槽表面，所述步驟(4)中酸槽二為第四酸槽、第五酸槽以及第六酸槽，所述第四酸槽內含有NH₄OH、H₂O₂和H₂O，第五酸槽內含有HCl、H₂O₂和H₂O，第六酸槽內含有HF；

步驟(5)：采用溶劑氣體或者酸性氣體并伴隨著氧氣，氧化所述步驟(4)中的凹槽，在所述凹槽表面形成氧化層，以去除凹槽表面的金屬離子和有機的雜質，所述步驟(5)中的酸性氣體為鹽酸氣體，并且鹽酸氣體與氧氣的比例小于1：10，鹽酸氣體和氧氣的總流量范圍是0.5slm～10slm，氮氣流量范圍是0slm～20slm，溫度范圍是450℃-800℃，時間范圍是0.5分鐘～30分鐘，所述步驟(5)中的溶劑氣體為1,2-二氯乙烯氣體；

步驟(6)：用清洗氣體去除所述步驟(5)中凹槽表面的氧化層，以露出硅襯底表面，步驟(6)中所述的清洗氣體包括NF₃和NH₃，步驟S6包括以下三個步驟：

步驟A：調整參數，其中NF₃與NH₃的流量比范圍是1:4～1:19，氣體總流量范圍是50sccm～200sccm，壓強范圍是60Pa～2666Pa，時間范圍是20秒～50秒，刻蝕劑生成；

步驟B：調整參數，開始刻蝕，其中，NF₃與NH₃的流量比范圍是1:4～1:19，氣體總流量范圍是50sccm～200sccm，壓強范圍是60Pa～2666Pa，溫度范圍是30℃～50℃，時間范圍是5秒～60秒；

步驟C：調整參數，將刻蝕后雜質升華，其中，壓強范圍是60Pa～2666Pa，溫度范圍是100℃～150℃，時間范圍是50秒～240秒。