[發明專利]半導體器件的形成方法

有效

• 申請號: 201410664315.6
• 申請日: 2014-11-19
• 公開（公告）號: CN105609469B
• 公開（公告）日: 2019-03-12
• 發明（設計）人: 李潤領;周建華;王昌鋒
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/8238
• 分類號: H01L21/8238
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 蔡杰赟;駱蘇華

1.一種半導體器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供半導體襯底，所述半導體襯底上具有第一器件區域和第二器件區域，所述第一器件區域和第二器件區域分別具有柵極結構；

形成覆蓋所述半導體襯底表面和柵極結構的遮蔽層；

形成掩膜層，所述掩膜層覆蓋所述第一器件區域的遮蔽層；

減薄所述掩膜層，暴露出第一器件區域的柵極結構上遮蔽層的頂表面；

使用干法刻蝕工藝刻蝕所述第二器件區域柵極結構兩側的遮蔽層和半導體襯底，在所述第二器件區域的柵極結構兩側形成凹槽，在所述刻蝕工藝中，所述第一器件區域和第二器件區域的柵極結構上的遮蔽層也被刻蝕；以及

在所述凹槽內形成鍺硅層。

2.如權利要求1所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述柵極結構包括依次位于半導體襯底上的柵介質層、柵電極層和硬掩膜層。

3.如權利要求2所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，還包括，在所述凹槽內形成鍺硅層后，去除第一器件區域和第二器件區域剩余的遮蔽層和硬掩膜層。

4.如權利要求3所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述遮蔽層和所述硬掩膜層的材料為氮化硅。

5.如權利要求4所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述去除第一器件區域和第二器件區域剩余的遮蔽層和硬掩膜層采用磷酸溶液，溶液溫度為90℃～200℃。

6.如權利要求1所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述遮蔽層的厚度為

7.如權利要求1所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，減薄所述掩膜層采用的氣體為O₂、H₂、CH₄、CO₂和SO₂中的一種或幾種。

8.如權利要求7所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，減薄所述掩膜層采用的氣體還包括N₂和He中的一種或兩種。

9.如權利要求1所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，還包括，在所述凹槽內形成鍺硅層前，去除所述掩膜層。

10.如權利要求1所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，在所述凹槽內形成鍺硅層采用的氣體包括H₂Cl₂Si₂，HCl和GeH₄。

11.如權利要求1所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述干法刻蝕工藝的刻蝕氣體包括SF₆、CF₄或者CHF₃。