[發明專利]有機發光顯示器件及其制造方法有效
| 申請號: | 201410663222.1 | 申請日: | 2014-11-19 |
| 公開(公告)號: | CN104752472B | 公開(公告)日: | 2018-10-12 |
| 發明(設計)人: | 樸美景;曺基述;金廷桓;樸起秀 | 申請(專利權)人: | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 康建峰;楊華 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 鈍化膜 像素區域 柵線 有機發光顯示器件 中間層絕緣膜 光屏蔽圖案 柵絕緣膜 整個表面 襯底 濾色器 涂覆膜 覆蓋 有機發光元件 覆蓋數據 柵線間隔 數據線 同一層 制造 外圍 | ||
1.一種包括在顯示區域中限定的多個像素區域的有機發光顯示器件,所述有機發光顯示器件包括:
多個柵線,所述多個柵線在襯底上在所述顯示區域中在一個方向上設置;
多個光屏蔽圖案,所述多個光屏蔽圖案在所述襯底上形成為與相應像素區域的外圍的至少多個部分對應,所述光屏蔽圖案與所述柵線間隔開并且與所述柵線在同一層上形成;
柵絕緣膜,所述柵絕緣膜在所述襯底的整個表面上形成,所述柵絕緣膜覆蓋所述柵線和所述光屏蔽圖案;
中間層絕緣膜,所述中間層絕緣膜在所述柵絕緣膜的整個表面上形成;
多個數據線,所述多個數據線在所述中間層絕緣膜上在所述顯示區域中在與所述柵線交叉的另一方向上設置以限定所述像素區域;
鈍化膜,所述鈍化膜設置在所述中間層絕緣膜的整個表面上,所述鈍化膜覆蓋所述數據線;
多個濾色器,所述多個濾色器分別在所述鈍化膜上并且與所述鈍化膜直接接觸地在所述像素區域中形成;
上涂覆膜,所述上涂覆膜在所述鈍化膜的整個表面上并且與所述鈍化膜直接接觸地均勻地形成,所述上涂覆膜覆蓋所述濾色器;以及
多個有機發光元件,所述多個有機發光元件分別在所述上涂覆膜上在所述像素區域中形成。
2.根據權利要求1所述的有機發光顯示器件,其中,所述光屏蔽圖案與所述數據線交疊。
3.根據權利要求2所述的有機發光顯示器件,其中,所述光屏蔽圖案與所述相應像素區域的外圍對應、圍繞所述相應像素區域、并且在所述相應像素區域中包括開口。
4.根據權利要求2所述的有機發光顯示器件,其中,
在所述一個方向上平行布置并且發射不同顏色的光的兩個或更多個相鄰像素區域被限定為單位像素區域;并且
所述光屏蔽圖案中的每一個分別與每個單位像素區域對應、圍繞所述單位像素區域的外圍、并且在所述單位像素區域中所包含的所述兩個或更多個像素區域中的每一個中包括開口。
5.根據權利要求2所述的有機發光顯示器件,其中,所述光屏蔽圖案中的至少一個形成為具有沿著每個像素區域的外圍的與所述數據線對應的一側在所述另一方向上延伸的線形狀。
6.根據權利要求5所述的有機發光顯示器件,其中,
所述數據線以兩個為一組設置在在所述一個方向上平行設置的兩個相鄰像素區域之間;
所述光屏蔽圖案與所述兩個相鄰像素區域之間的兩個相鄰數據線交疊;并且
所述有機發光顯示器件還包括接觸焊接,所述接觸焊接被配置成將所述兩個相鄰數據線中的每一個連接到與所述數據線的下部交疊的光屏蔽圖案以修復所述兩個相鄰數據線中的斷開的一個。
7.根據權利要求5所述的有機發光顯示器件,還包括:
參考線,所述參考線在所述中間層絕緣膜上在所述顯示區域中在所述另一方向上設置,所述參考線與所述數據線間隔開,
其中,所述光屏蔽圖案還與所述參考線交疊。
8.根據權利要求2所述有機發光顯示器件,其中,
在所述一個方向上平行布置并且發射不同顏色的光的兩個或更多個像素區域被限定為單位像素區域;并且
所述光屏蔽圖案中的至少一個包括:
多個第一延伸部,所述多個第一延伸部沿著所述單位像素區域中的每個像素區域的外圍的兩側在所述另一方向上延伸;以及
第二延伸部,所述第二延伸部沿著所述單位像素區域的外圍的一側在所述一個方向上延伸,所述第二延伸部將所述單位像素區域中的所述第一延伸部相連接。
9.根據權利要求8所述的有機發光顯示器件,還包括:
參考線,所述參考線在所述中間層絕緣膜上在所述像素區域中在所述另一方向上設置,所述參考線與所述數據線間隔開,
其中,所述光屏蔽圖案的所述第一延伸部中的至少一個與所述數據線交疊,并且所述光屏蔽圖案的所述第一延伸部中的所述至少一個中的另一個與所述參考線交疊。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





