[發明專利]一種帶雪崩特性的GaN基肖特基二極管器件在審
| 申請號： | 201410662021.X | 申請日： | 2014-11-19 |
| 公開（公告）號： | CN104362146A | 公開（公告）日： | 2015-02-18 |
| 發明（設計）人： | 何志;謝剛 | 申請（專利權）人： | 佛山芯光半導體有限公司 |
| 主分類號： | H01L25/18 | 分類號： | H01L25/18;H01L29/872 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 528226 廣東省佛山市南海區獅山鎮*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 雪崩 特性 gan 基肖特基 二極管 器件 | ||
1.一種帶雪崩擊穿特性的GaN基肖特基二極管器件，包括反向耐壓大于或者等于設計所需反向額定電壓的GaN基肖特基二極管,反向額定電壓等于設計要求反向額定電壓的Si基二極管,所述的GaN基肖特基二極管陽極與步驟二中所述的Si基二極管或陽極相連，將所述的GaN基肖特基二極管的陰極與所述的Si基二極管陰極相連。
2.如權利要求1所述一種帶雪崩擊穿特性的GaN基肖特基二極管器件，其特征在于，其中所述的GaN基肖特基二極管器件，可以是GaN體材料肖特基二極管也可以是AlGaN/GaN?HEMTs?肖特基二極管。
3.如權利要求1所述一種帶雪崩擊穿特性的GaN基肖特基二極管器件，其特征在于，為了達到設計所需的正向額定電流與反向額定電壓的要求，所述的GaN基肖特基二極管也可以是兩個或者兩個以上的GaN基二極管相互串聯或者并聯形成的模塊，其反向額定耐壓為整個模塊的反向額定電壓。
4.如權利要求1所述一種帶雪崩擊穿特性的GaN基肖特基二極管器件，其特征在于，當單個Si基二極管不能達到設計要求反向額定電壓時，所述的Si基二極管也可以是兩個或者兩個以上Si基二極管相互串聯的模塊，其反向額定電壓為整個模塊的反向額定電壓。
5.如權利要求1所述一種帶雪崩擊穿特性的GaN基肖特基二極管器件，其特征在于，所述的Si基二極管的結構可以是各種結構，如：肖特基結構、PiN結構等等。
6.如權利要求1所述一種帶雪崩擊穿特性的GaN基肖特基二極管器件，其特征在于，所述的GaN基二極管與Si基二極管的連接方法，可以是各種方法，如：封裝為DBC模塊、電路板焊接或者其他封裝形式。
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