[發明專利]體硅微加工工藝的定位方法有效
| 申請號： | 201410660920.6 | 申請日： | 2014-11-18 |
| 公開（公告）號： | CN105645347B | 公開（公告）日： | 2017-08-08 |
| 發明（設計）人： | 荊二榮 | 申請（專利權）人： | 無錫華潤上華半導體有限公司 |
| 主分類號： | B81C1/00 | 分類號： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司44224 | 代理人： | 鄧云鵬 |
| 地址： | 214028 江蘇省無*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 體硅微 加工 工藝 定位 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種體硅微加工工藝的定位方法，其特征在于，包括步驟：
在第一基片的正面制作第一圖形、定位所述第一圖形的步進式光刻機對位標記、定位所述步進式光刻機對位標記的雙面光刻機第一對位標記；
在第一基片的背面制作與雙面光刻機第一對位標記對應的雙面光刻機第二對位標記；
在第一基片正面鍵合第二基片；
對第二基片進行正面減薄；
在第二基片的正面制作與雙面光刻機第二對位標記對應的雙面光刻機第三對位標記；
通過雙面光刻機第三對位標記在第二基片正面找到所述步進式光刻機對位標記的對應位置；還包括：
在第二基片的正面所述步進式光刻機對位標記的對應位置制作凹部，以暴露第一基片正面的所述步進式光刻機對位標記；
通過所述步進式光刻機對位標記在第二基片正面找到第一圖形的對應位置，并在第一圖形的對應位置制作第二圖形。
2.根據權利要求1所述的體硅微加工工藝的定位方法，其特征在于，制作所述凹部的方法包括刻蝕工藝。
3.根據權利要求2所述的體硅微加工工藝的定位方法，其特征在于，利用步進式光刻機制作所述凹部。
4.根據權利要求1所述的體硅微加工工藝的定位方法，其特征在于，所述步進式光刻機對位標記至少為5個。
5.根據權利要求1所述的體硅微加工工藝的定位方法，其特征在于，所述雙面光刻機第一對位標記至少為兩個。
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