[發(fā)明專利]直接變頻射頻接收前端電路裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410659755.2
• 申請日: 2014-11-18
• 公開（公告）號: CN105680889B
• 公開（公告）日: 2019-09-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉振;徐樹民;田心;亓延峰
• 申請（專利權(quán)）人: 航天信息股份有限公司
• 主分類號: H04B1/10
• 分類號: H04B1/10;H04B1/16
• 代理公司: 北京工信聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11266
• 代理人: 黃曉軍

1.一種直接變頻射頻接收前端電路裝置，其特征在于，包括：驅(qū)動級電路、開關(guān)對電路和負(fù)載電路；

所述的驅(qū)動級電路，用于和所述開關(guān)對電路連接，包括NMOS管，將小信號電壓vRF轉(zhuǎn)換為小信號電流iRF，通過NMOS管將所述小信號電流iRF折疊流入所述開關(guān)對電路中的PMOS管的源極；

所述的驅(qū)動級電路包括：NMOS管M1、NMOS管M2、NMOS管M3、NMOS管M4、NMOS管M5、NMOS管M6、電感L₁和電感L₂，所述NMOS管M1的漏極和所述NMOS管M3、所述NMOS管M5的源極連接，所述NMOS管M2的漏極和所述NMOS管M4、所述NMOS管M6的源極連接，所述NMOS管M1的柵極、所述NMOS管M2的柵極接收外界輸入的小信號電壓vRF，所述NMOS管M1的漏極、所述NMOS管M2的漏極輸出小信號電流iRF，所述電感L₁連接所述NMOS管M3、所述NMOS管M6的漏極，所述電感L₂連接所述NMOS管M4、所述NMOS管M5的漏極；

所述的開關(guān)對電路，用于和所述驅(qū)動級電路、負(fù)載電路連接，包括PMOS管，通過PMOS管對所述小信號電流iRF進行變頻處理，得到中頻小信號電流，將所述中頻小信號電流傳輸給所述負(fù)載電路；

所述的負(fù)載電路，用于和所述開關(guān)對電路連接，包括NMOS管和運算放大電路，將所述中頻小信號電流轉(zhuǎn)化為中頻小信號電壓，并將所述中頻小信號電壓輸出。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的直接變頻射頻接收前端電路裝置，其特征在于，所述驅(qū)動級電路中的所述NMOS管M5、所述NMOS管M6的柵極接收控制電壓Vctrl，通過改變所述控制電壓Vctrl的大小，所述NMOS管M5和NMOS管M6分流所述NMOS管M1的漏極、所述NMOS管M2的偏置電流。

3.根據(jù)權(quán)利要求1至2任一項所述的直接變頻射頻接收前端電路裝置，其特征在于，所述的開關(guān)對電路包括：PMOS管P1、PMOS管P2、PMOS管P3、PMOS管P4，所述PMOS管P2的柵極和所述PMOS管P3的柵極連接，所述PMOS管P1、PMOS管P2、PMOS管P3、PMOS管P4的源極接收所述驅(qū)動級電路輸出的小信號電流iRF，所述PMOS管P1、PMOS管P2、PMOS管P3、PMOS管P4的漏極輸出中頻小信號電流。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的直接變頻射頻接收前端電路裝置，其特征在于，所述的負(fù)載電路包括：兩個電阻R_L、運算放大電路和NMOS管M7、NMOS管M8、NMOS管M9、NMOS管M10，所述運算放大電路的輸出端和所述NMOS管M8的柵極、所述NMOS管M9的柵極連接，所述NMOS管M7的漏極、所述NMOS管M10的漏極輸出中頻小信號電壓，將所述中頻小信號電壓鏡像到射頻接收前端電路中。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的直接變頻射頻接收前端電路裝置，其特征在于，所述兩個電阻R_L接收所述PMOS管P1、PMOS管P2、PMOS管P3、PMOS管P4的漏極輸出的中頻小信號電流，所述運算放大電路的負(fù)輸入端接收電壓Vref，所述運算放大電路的輸出端輸出中頻小信號電壓。