[發明專利]多晶硅錠的制備方法、多晶硅鑄錠爐及硅片

有效

• 申請號: 201410659691.6
• 申請日: 2014-11-18
• 公開（公告）號: CN104372404A
• 公開（公告）日: 2015-02-25
• 發明（設計）人: 孟召標;張鳳;汪晨
• 申請（專利權）人: 保利協鑫（蘇州）新能源運營管理有限公司
• 主分類號: C30B28/06
• 分類號: C30B28/06;C30B29/06
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 唐清凱

1.一種多晶硅錠的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

在坩堝內設置熔融狀態的硅料，其中所述坩堝的內底面為相對水平方向傾斜設置的斜面，所述坩堝的底部的厚度在水平方向上逐步增大；

控制長晶時的熱場，使橫向溫度梯度大于縱向溫度梯度，使硅料沿水平方向或與豎直方向呈銳角的方向生長。

2.根據權利要求1所述的多晶硅錠的制備方法，其特征在于，所述控制長晶時的熱場，使橫向溫度梯度大于縱向溫度梯度，使硅料沿水平方向或與豎直方向有夾角的方向生長的步驟中：

使隔熱籠靠近所述坩堝的底部最薄處的一面先單獨上升；

在預定時間后，再使隔熱籠的其他部分一起上升。

3.一種多晶硅鑄錠爐，包括爐體、置于爐體內的隔熱籠、隔熱頂板、隔熱底板，位于隔熱籠內的熱交換臺、位于熱交換臺上的坩堝，置于隔熱籠內的頂加熱器和側加熱器，所述隔熱籠相對于所述隔熱底板和升降，其特征在于，所述坩堝的內底面為相對水平方向傾斜設置的斜面，所述坩堝的底部的厚度在水平方向上逐步增大，隔熱籠靠近所述坩堝的底部最薄處的一面相對于隔熱籠的剩余部分可獨立運動。

4.根據權利要求3所述的多晶硅鑄錠爐，其特征在于，所述隔熱籠靠近所述坩堝的底部最薄處的一面的熱導率大于隔熱籠剩余部分的熱導率。

5.根據權利要求3所述的多晶硅鑄錠爐，其特征在于，所述坩堝的四個內側面中，臨近所述坩堝的底部最薄處的坩堝內側面上涂有形核促進層。

6.根據權利要求5所述的多晶硅鑄錠爐，其特征在于，所述坩堝設置形核促進層的內側面的熱導率大于坩堝其余各面的熱導率。

7.根據權利要求5所述的多晶硅鑄錠爐，其特征在于，所述側加熱器為三面加熱，所述側加熱器自坩堝除設置形核促進層以外的其他側面進行加熱。

8.根據權利要求3所述的多晶硅鑄錠爐，其特征在于，所述坩堝的內底面的傾斜角度為5°～20°。

9.根據權利要求3所述的多晶硅鑄錠爐，其特征在于，所述坩堝的四周設有側護板，所述側護板臨近所述坩堝的底部最薄處的一面的熱導率大于側護板其他三面的熱導率。

10.一種硅片，其特征在于，所述硅片由權利要求1或2所述的方法制得的多晶硅錠切割而成。