[發明專利]T形源-漏復合場板功率器件

有效

• 申請號: 201410658902.4
• 申請日: 2014-11-18
• 公開（公告）號: CN104465747A
• 公開（公告）日: 2015-03-25
• 發明（設計）人: 毛維;佘偉波;張延濤;楊翠;張進成;馬佩軍;郝躍
• 申請（專利權）人: 西安電子科技大學
• 主分類號: H01L29/778
• 分類號: H01L29/778;H01L29/423;H01L29/40
• 代理公司: 陜西電子工業專利中心 61205
• 代理人: 王品華;朱紅星

1.一種T形源-漏復合場板功率器件，自下而上包括：襯底(1)、過渡層(2)、勢壘層(3)、鈍化層(9)和保護層(14)，勢壘層的上面淀積有源極(4)與肖特基漏極(5)，勢壘層的側面刻有臺面(6)，且臺面深度大于勢壘層厚度，勢壘層內刻有柵槽(7)，柵槽(7)內淀積有柵極(8)，其特征在于：

鈍化層(9)內刻有源槽(10)和漏槽(11)；

鈍化層(9)與保護層(14)之間淀積有T形源場板(12)和T形漏場板(13)；

所述T形源場板(12)與源極(4)電氣連接，且下端完全填充在源槽(10)內；

所述T形漏場板(13)與肖特基漏極(5)電氣連接，且下端完全填充在漏槽(11)內。

2.根據權利要求1所述的T形源-漏復合場板功率器件，其特征在于柵槽的深度h小于勢壘層的厚度，柵極與柵槽左端之間的距離r₁為0～2.6μm，柵極與柵槽右端之間的距離r₂為0～4.7μm，并且r₁≤r₂。

3.根據權利要求1所述的T形源-漏復合場板功率器件，其特征在于源槽靠近柵極，漏槽靠近肖特基漏極，源槽的深度s₁與漏槽的深度s₂相等，且均為0.49～12.1μm，源槽的寬度b₁與漏槽的寬度b₂相等，且均為0.88～10.9μm；源槽的底部與勢壘層之間的距離d₁和漏槽的底部與勢壘層之間的距離d₂相等，且均為0.102～2.03μm。

4.根據權利要求1所述的T形源-漏復合場板功率器件，其特征在于T形源場板靠近肖特基漏極一側邊緣與源槽靠近肖特基漏極一側邊緣之間的距離c₁為1.02～12.6μm；T形漏場板靠近柵極一側邊緣與漏槽靠近柵極一側邊緣之間的距離c₂為1.02～12.6μm；所述的T形源場板靠近肖特基漏極一側邊緣與T形漏場板靠近柵極一側邊緣之間的距離L為2.4～10.2μm。

5.根據權利要求1所述的T形源-漏復合場板功率器件，其特征在于源槽靠近柵極一側邊緣與柵極靠近肖特基漏極一側邊緣之間的距離a₁和漏槽靠近肖特基漏極一側邊緣與肖特基漏極靠近柵極一側邊緣之間的距離a₂相等，源槽靠近柵極一側邊緣與柵極靠近肖特基漏極一側邊緣之間的距離a₁為s₁×(d₁)^0.5，其中s₁為源槽的深度，d₁為源槽底部與勢壘層之間的距離；漏槽靠近肖特基漏極一側邊緣與肖特基漏極靠近柵極一側邊緣之間的距離a₂為s₂×(d₂)^0.5，其中s₂為漏槽的深度，d₂為漏槽底部與勢壘層之間的距離。

6.根據權利要求1所述的T形源-漏復合場板功率器件，其特征在于襯底(1)采用藍寶石或碳化硅或硅材料。