[發(fā)明專利]一種利用微結(jié)構(gòu)提高光萃取效率的OLED器件在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410658486.8 | 申請日: | 2014-11-18 |
| 公開(公告)號: | CN104362260A | 公開(公告)日: | 2015-02-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 俞哲偉;劉詩雨;王祎君;李偉歡;陸建鋼 | 申請(專利權(quán))人: | 上海交通大學 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;H01L51/50 |
| 代理公司: | 上海旭誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31220 | 代理人: | 鄭立 |
| 地址: | 200240 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 利用 微結(jié)構(gòu) 提高 萃取 效率 oled 器件 | ||
1.一種OLED器件,其特征在于,包括微結(jié)構(gòu)平坦層,所述微結(jié)構(gòu)平坦層被設(shè)置在所述OLED器件的基板和透明陽極之間,并與所述基板和所述透明陽極相貼合;所述微結(jié)構(gòu)平坦層由微結(jié)構(gòu)層和平坦層組成,所述微結(jié)構(gòu)層的一面是非平面結(jié)構(gòu),所述平坦層用于對所述微結(jié)構(gòu)層進行平坦化。
2.如權(quán)利要求1所述的OLED器件,其特征在于,所述微結(jié)構(gòu)層遠離所述基板的一面是非平面結(jié)構(gòu)。
3.如權(quán)利要求1所述的OLED器件,其特征在于,所述微結(jié)構(gòu)層由多個重復(fù)單元組成。
4.如權(quán)利要求3所述的OLED器件,其特征在于,所述重復(fù)單元的形狀是軸對稱的或鏡面對稱的。
5.如權(quán)利要求1所述的OLED器件,其特征在于,所述微結(jié)構(gòu)平坦層的厚度在10nm~100um之間。
6.如權(quán)利要求1所述的OLED器件,其特征在于,所述平坦層的折射率小于所述透明陽極的折射率,所述微結(jié)構(gòu)層的折射率小于所述平坦層的折射率且大于所述基板的折射率。
7.如權(quán)利要求1所述的OLED器件,其特征在于,所述微結(jié)構(gòu)層通過光刻或壓印工藝形成。
8.如權(quán)利要求1所述的OLED器件,其特征在于,所述平坦層通過旋涂工藝形成。
9.如權(quán)利要求1所述的OLED器件,其特征在于,所述微結(jié)構(gòu)層和所述平坦層采用有機材料。
10.如權(quán)利要求9所述的OLED器件,其特征在于,所述有機材料是光刻膠、硅膠。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





