[發(fā)明專利]以BipySi為補角體制備的籠型低聚倍半硅氧烷及其稀土發(fā)光材料

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410658422.8
• 申請日: 2013-01-11
• 公開（公告）號: CN104478922B
• 公開（公告）日: 2017-05-03
• 發(fā)明（設計）人: 李煥榮;陳曉凡;張盼寧
• 申請（專利權）人: 河北工業(yè)大學
• 主分類號: C07F7/21
• 分類號: C07F7/21;C09K11/06
• 代理公司: 天津翰林知識產權代理事務所(普通合伙)12210
• 代理人: 趙鳳英

1.一種以BipySi為補角體制備的籠型低聚倍半硅氧烷(POSS)，其特征為其結構式為：

其中，上面結構式中

。

2.如權利要求1所述的以BipySi為補角體制備的籠型低聚倍半硅氧烷(POSS)的制備方法，其特征為包括如下步驟：

按摩爾比1,3,5,7,9,11,14-七異丁基三環(huán)[7.3.3.15,11] 七硅氧烷-內-3,7,14-三醇:BipySi＝2:1的配比，其中，1,3,5,7,9,11,14-七異丁基三環(huán)[7.3.3.15,11] 七硅氧烷-內-3,7,14-三醇簡稱為T；將T用三氯甲烷溶解后加入反應器，BipySi用二甲基亞砜溶解后同時加入反應器中，惰性環(huán)境下60℃加熱、攪拌4.5h，得到以BipySi為補角體的籠型低聚倍半硅氧烷，記作T-BipySi。

3.一種以BipySi為補角體制備的籠型低聚倍半硅氧烷(POSS) /稀土離子發(fā)光材料，其特征為其結構式為：

其中，上面結構式中

稀土離子Ln為Nd³⁺、Sm³⁺、Eu³⁺、Gd³⁺、Ho³⁺、Er³⁺、Yb³⁺、Tm³⁺或Dy³⁺。

4.如權利要求3所述的以BipySi為補角體制備的籠型低聚倍半硅氧烷(POSS) /稀土離子發(fā)光材料的制備方法，其特征為包括如下步驟：

將上述以BipySi為補角體制備的籠型低聚倍半硅氧烷(POSS)與稀土氯化物按摩爾比T-BipySi: 稀土氯化物＝3:1的配比，將T-BipySi和稀土氯化物均加入反應器中，用三氯甲烷作溶劑使其溶解，85℃加熱、攪拌4.5h，得到以BipySi為補角體制備的籠型低聚倍半硅氧烷(POSS) /稀土離子發(fā)光材料；其中，以BipySi為補角體制備的籠型低聚倍半硅氧烷(POSS)簡稱為T-BipySi。

5.如權利要求4所述的以BipySi為補角體制備的籠型低聚倍半硅氧烷(POSS) /稀土離子發(fā)光材料的制備方法，其特征為所述的稀土氯化物為NdCl₃、SmCl₃、EuCl₃、GdCl₃、HoCl₃、ErCl₃、YbCl₃、TmCl₃或DyCl₃。