[發明專利]發光器件、發光器件封裝以及照明系統

有效

• 申請號: 201410658295.1
• 申請日: 2011-02-25
• 公開（公告）號: CN104393141B
• 公開（公告）日: 2019-04-30
• 發明（設計）人: 金鮮京
• 申請（專利權）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號: H01L33/46
• 分類號: H01L33/46;H01L33/20
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 周燕;夏凱

1.一種發光器件，包括：

導電支撐構件；

在所述導電支撐構件上的反射層；

在所述反射層上的發光結構，所述發光結構包括第一導電半導體層、第二導電半導體層以及在所述第一導電半導體層和所述第二導電半導體層之間的有源層；

在所述反射層和所述第二導電半導體層之間的歐姆接觸層；

在所述歐姆接觸層和所述發光結構之間的電流阻擋層；以及

在所述第一導電半導體層上的電極，

其中，所述反射層包括凹部，以及

其中，所述電流阻擋層與所述反射層的凹部垂直地重疊，

其中，所述有源層和所述反射層之間的距離滿足2·Φ1+Φ3＝N·2π±Δ,(0≤Δ≤π/2)，其中，Φ1表示當垂直傳播的光通過所述第二導電半導體層時的相變值，Φ3表示當所述光被所述反射層反射時的相變值，并且，N表示自然數，

其中，所述歐姆接觸層被設置在所述電流阻擋層和所述反射層之間，

其中，第一距離滿足2·(Φ1+Φ2)+Φ3＝N·2π±Δ1，π/2<Δ1<π，并且第二距離滿足2·(Φ1+Φ2’)+Φ3＝N·2π±Δ2，0≤Δ2≤π/2，其中Φ2表示當所述光通過所述歐姆接觸層和所述電流阻擋層時的相變值，Φ2’表示當所述光通過所述歐姆接觸層時的相變值，

其中，Φ1滿足Φ1＝2πn₁d₁/λ，其中n₁表示所述第二導電半導體層的折射率，d₁表示所述第二導電半導體層的厚度，并且λ表示所述有源層的波長，

其中，所述第一距離是在所述有源層和所述反射層的凹部之間的垂直最短距離，

其中，所述第二距離是在除了其中設置所述電流阻擋層的第一區域之外的第二區域中的所述有源層和所述反射層之間的垂直最短距離，以及

其中，所述第二距離不同于所述第一距離。

2.根據權利要求1所述的發光器件，其中，所述凹部的橫向寬度與所述電流阻擋層的橫向寬度相同，

其中，所述電流阻擋層被垂直地設置到所述電極。

3.根據權利要求1所述的發光器件，其中，所述第一距離滿足在從所述有源層產生并且從所述反射層反射的垂直傳播的光之間的相消干涉的條件，并且所述第二距離滿足在所述光之間的相長干涉的條件。

4.根據權利要求1所述的發光器件，其中，所述歐姆接觸層與所述第二導電半導體層進行歐姆接觸同時傳送光。

5.根據權利要求1所述的發光器件，進一步包括在所述第一導電半導體層的頂表面上形成的光提取圖案以及在3·λ/n至50·λ/n的范圍內的周期。

6.根據權利要求5所述的發光器件，其中，所述光提取圖案包括隨機的凹凸圖案，并且在所述凹凸圖案的圖案之間的平均距離具有所述周期。

7.根據權利要求5所述的發光器件，其中，如果從所述有源層產生的光具有450nm的主波長，并且如果所述第一導電半導體層、所述有源層和所述第二導電半導體層包括GaN基的半導體材料，則所述光提取圖案具有在1600nm至2000nm的范圍中的周期。