[發明專利]磨輥及其制備方法

在審

• 申請號: 201410657916.4
• 申請日: 2014-11-18
• 公開（公告）號: CN104525887A
• 公開（公告）日: 2015-04-22
• 發明（設計）人: 許云華;葉芳霞;梁淑華;燕映霖;鐘黎聲;趙娜娜;任冰;鄒軍濤;肖鵬
• 申請（專利權）人: 西安理工大學
• 主分類號: B22D13/02
• 分類號: B22D13/02;B22D19/00;C21D9/38;C23C8/64;B02C15/00
• 代理公司: 西安弘理專利事務所 61214
• 代理人: 李娜

1.一種磨輥，在其輥身表面具有耐磨涂層，其特征在于：所述耐磨涂層為V₂C致密陶瓷層。

2.如權利要求1所述的磨輥，其特征在于：V₂C致密陶瓷層為準單晶相，所述準單晶相是指，介于多晶相與單晶相之間，相較于多晶相，晶向一致性高、晶界明顯減少，并且原子排列比較有序的顯微組織。

3.如權利要求1或2所述的磨輥，其特征在于：沿V₂C致密陶瓷層縱向剖面，其厚度為7-25μm，優選為9-25μm，更優選為15-25μm；優選地，其中V₂C的體積分數大于80％，優選大于90％；優選地，V₂C晶粒尺寸為20-50μm，優選為30-50μm。

4.一種磨輥，在其輥身表面具有梯度復合涂層，其特征在于：：所述梯度復合涂層為碳化物涂層，包括依次呈梯度分布的V₂C致密陶瓷層、微米V₈C₇致密陶瓷層、V₈C₇與基體的融合層。

5.如權利要求4所述的磨輥，其特征在于：V₂C致密陶瓷層為準單晶相，所述準單晶相是指，介于多晶相與單晶相之間，相較于多晶相，晶向一致性高、晶界明顯減少，并且原子排列比較有序的顯微組織。

6.如權利要求4或5所述的磨輥，其特征在于：沿V₂C致密陶瓷層縱向剖面，其厚度為7-25μm，優選為9-25μm，更優選為15-25μm；優選地，其中V₂C的體積分數大于80％，優選大于90％；優選地，V₂C晶粒尺寸為20-50μm，優選為30-50μm。

7.如權利要求4-6之一所述的磨輥，其特征在于：沿微米V₈C₇致密陶瓷層縱向剖面，其厚度為15-90μm，優選為40-90μm，更優選為70-90μm；優選地，V₈C₇的體積分數大于70％，優選大于75％；優選地，V₈C₇的晶粒尺寸為5-15μm，優選為6-15μm，更優選為8-15μm。

8.如權利要求4-7之一所述的磨輥，其特征在于：沿V₈C₇與基體的融合層縱向剖面，其厚度為121μm-1090μm，優選300-1090μm；優選地，其中V₈C₇的體積分數為20％-85％，優選為50％-85％；優選地，V₈C₇的晶粒尺寸為5-20μm，優選為10-20μm。

9.如權利要求4-8之一所述的磨輥，其特征在于：梯度復合涂層總厚度為143-1205μm，優選在400-1200μm。

10.如權利要求4-9之一所述的磨輥，其特征在于：組織根據熱處理不同為珠光體、馬氏體、鐵素體、貝氏體、奧氏體和索氏體中的一種或幾種；優選地，該梯度復合涂層被施加于灰口鑄鐵表面。