[發明專利]用于具有共同封裝的氮化鎵功率器件的交叉升壓變換器的方法和系統

在審

• 申請號: 201410657698.4
• 申請日: 2014-11-18
• 公開（公告）號: CN104659025A
• 公開（公告）日: 2015-05-27
• 發明（設計）人: 埃馬爾·N·沙赫;唐納德·R·迪斯尼
• 申請（專利權）人: 阿沃吉有限公司
• 主分類號: H01L25/07
• 分類號: H01L25/07;H01L23/495;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/60
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 蔡勝有;顧晉偉

1.一種電子封裝件，包括：

引線框；

多個管腳；

第一氮化鎵(GaN)晶體管，所述第一GaN晶體管包括源極、柵極和漏極，其中所述第一GaN晶體管的所述源極電連接到所述引線框；

第二GaN晶體管，所述第二GaN晶體管包括源極、柵極和漏極，其中所述第二GaN晶體管的所述漏極電連接到所述引線框；

第一GaN二極管，所述第一GaN二極管包括陽極和陰極，其中所述第一GaN二極管的所述陽極電連接到所述引線框；以及

第二GaN二極管，所述第二GaN二極管包括陽極和陰極，其中所述第二GaN二極管的所述陽極電連接到所述引線框。

2.根據權利要求1所述的電子封裝件，其中，

所述第一GaN晶體管的所述源極電連接到所述多個管腳中的第一管腳；

所述第一GaN晶體管的所述柵極電連接到所述多個管腳中的第二管腳；

所述第二GaN晶體管的所述源極電連接到所述多個管腳中的第三管腳；

所述第二GaN晶體管的所述柵極電連接到所述多個管腳中的第四管腳。

3.根據權利要求2所述的電子封裝件，其中所述第一管腳和所述第三管腳是接地管腳。

4.根據權利要求2所述的電子封裝件，其中所述第一GaN晶體管的所述漏極以及所述第二GaN晶體管的所述源極和所述柵極的所述電連接包括線接合、帶接合或銅夾中的至少之一。

5.根據權利要求1所述的電子封裝件，其中：

所述第一二極管的所述陽極與所述引線框之間的所述電連接包括環氧樹脂、共晶、燒結或焊接中的至少之一；并且

所述第二二極管的所述陽極與所述引線框之間的所述電連接包括環氧樹脂、共晶、燒結或焊接中的至少之一。

6.根據權利要求1所述的電子封裝件，其中：

所述第二GaN晶體管的所述漏極與所述引線框之間的所述電連接包括環氧樹脂、共晶、燒結或焊接中的至少之一；并且

所述第一GaN晶體管的所述漏極與所述引線框之間的所述電連接包括環氧樹脂、共晶、燒結或焊接中的至少之一。

7.根據權利要求1所述的電子封裝件，其中所述氮化鎵基電子封裝件電耦接到電路板并且附接到電路板，其中所述引線框被配置成將來自所述第一GaN晶體管的所述漏極、所述第二GaN晶體管的所述漏極、所述第一GaN二極管的所述陽極以及所述第二GaN二極管的所述陽極的電流直接傳導至所述電路板。

8.根據權利要求1所述的電子封裝件，還包括附接到所述引線框的一個或更多個散熱器。

9.根據權利要求1所述的電子封裝件，其中所述第一GaN晶體管的所述漏極和所述第二GaN晶體管的所述漏極包括可焊接的金屬堆疊部。

10.根據權利要求1所述的電子封裝件，其中所述第一GaN晶體管的所述源極和所述第二GaN晶體管的所述源極包括可接合的金屬堆疊部。

11.一種制造電子封裝件的方法，所述方法包括：

布置包括引線框和多個管腳的封裝件；

布置一組氮化鎵(GaN)晶體管，每個所述GaN晶體管包括漏極接觸部、源極接觸部和柵極接觸部；

將所述一組GaN晶體管中的第一GaN晶體管的所述漏極接觸部和所述一組GaN晶體管中的第二GaN晶體管的所述漏極接觸部連接到所述引線框；

布置一組GaN二極管，每個所述GaN二極管包括陽極接觸部和陰極接觸部；并且

將第一GaN二極管的所述陽極接觸部和第二GaN二極管的所述陽極接觸部連接到所述引線框。

12.根據權利要求11所述的方法，還包括：

將所述第一GaN二極管的所述陰極接觸部電連接到所述多個管腳中的第一管腳；

將所述第二GaN二極管的所述陰極接觸部電連接到所述多個管腳中的所述第一管腳；

將所述第一GaN晶體管的所述源極接觸部電連接到所述多個管腳中的第二管腳；

將所述第一GaN晶體管的所述柵極接觸部電連接到所述多個管腳中的第三管腳；

將所述第二GaN晶體管的所述源極接觸部電連接到所述多個管腳中的第四管腳；

將所述第二GaN晶體管的所述柵極接觸部電連接到所述多個管腳中的第五管腳。