[發明專利]剎車盤及其制備方法

有效

• 申請號: 201410657672.X
• 申請日: 2014-11-18
• 公開（公告）號: CN104533992B
• 公開（公告）日: 2018-06-01
• 發明（設計）人: 趙娜娜;許云華;梁淑華;鐘黎聲;燕映霖;葉芳霞;任冰;鄒軍濤;肖鵬
• 申請（專利權）人: 西安理工大學
• 主分類號: F16D65/12
• 分類號: F16D65/12;F16D69/02;B22D18/06;B22D19/00;C23C8/64;C21D9/38
• 代理公司: 西安弘理專利事務所 61214
• 代理人: 李娜

1.一種剎車盤，在其剎車盤制動片表面具有耐磨碳化物涂層，其特征在于：所述耐磨碳化物涂層為TiC致密陶瓷層，其中，所述TiC致密陶瓷層為準單晶相，所述準單晶相是指，介于多晶相與單晶相之間，相較于多晶相，晶向一致性高、晶界明顯減少，并且原子排列比較有序的顯微組織。

2.如權利要求1所述的剎車盤，其特征在于：沿TiC致密陶瓷層縱向剖面，其厚度為70-200μm，和/或，TiC的體積分數大于80％，和/或，TiC粒徑為8-50μm。

3.如權利要求2所述的剎車盤，其特征在于：沿TiC致密陶瓷層縱向剖面的所述厚度為100-200μm，和/或，所述TiC的體積分數大于90％，和/或，所述TiC粒徑為10-50μm。

4.如權利要求3所述的剎車盤，其特征在于：沿TiC致密陶瓷層縱向剖面的所述厚度為120-200μm。

5.一種剎車盤，在其剎車盤制動片表面具有梯度復合涂層，其特征在于：所述梯度復合涂層為碳化物涂層，包括依次呈梯度分布的TiC致密陶瓷層、微米TiC陶瓷層、TiC與基體的融合層；所述TiC致密陶瓷層為準單晶相，所述準單晶相是指，介于多晶相與單晶相之間，相較于多晶相，晶向一致性高、晶界明顯減少，并且原子排列比較有序的顯微組織。

6.如權利要求5所述的剎車盤，其特征在于：沿TiC致密陶瓷層縱向剖面，其厚度為70-200μm；和/或，TiC的體積分數大于80％；和/或，TiC粒徑為8-50μm。

7.如權利要求6所述的剎車盤，其特征在于：沿TiC致密陶瓷層縱向剖面，所述厚度為100-200μm，和/或，所述TiC的體積分數大于90％，和/或，所述TiC粒徑為10-50μm。

8.如權利要求7所述的剎車盤，其特征在于：沿TiC致密陶瓷層縱向剖面，所述厚度為120-200μm。

9.如權利要求5-8之一所述的剎車盤，其特征在于：沿微米TiC陶瓷層縱向剖面，其厚度為50-150μm，和/或，TiC的體積分數大于80％，和/或，TiC的粒徑為5-15μm。

10.如權利要求9所述的剎車盤，其特征在于：沿微米TiC陶瓷層縱向剖面，所述厚度為70-150μm，和/或，所述TiC的體積分數大于90％，和/或，所述TiC的粒徑為6-12μm。

11.如權利要求10所述的剎車盤，其特征在于：沿微米TiC陶瓷層縱向剖面，所述厚度為80-150μm，和/或，所述TiC的粒徑為8-10μm。

12.如權利要求5-8、10-11之一所述的剎車盤，其特征在于：沿TiC與基體的融合層縱向剖面，其厚度為50μm-200μm；和/或，其中TiC的體積分數為20％-80％；和/或，TiC的粒徑為1-10μm。

13.如權利要求12所述的剎車盤，其特征在于：沿TiC與基體的融合層縱向剖面，其所述厚度為100-200μm；和/或，所述TiC的體積分數為50％-80％，和/或，所述TiC的粒徑為2-8μm。

14.如權利要求5-8、10-11、13之一所述的剎車盤，其特征在于：所述梯度復合涂層總厚度為170-550μm。

15.如權利要求14所述的剎車盤，其特征在于：所述梯度復合涂層總厚度為300-550μm。

16.如權利要求5-8、10-11、13、15之一所述的剎車盤，其特征在于：組織根據熱處理不同為珠光體、馬氏體、鐵素體、貝氏體、奧氏體和索氏體中的一種或幾種。