[發明專利]一種快速提高直拉硅單晶生長速度的熱場結構

在審

• 申請號: 201410655714.6
• 申請日: 2014-11-17
• 公開（公告）號: CN104313682A
• 公開（公告）日: 2015-01-28
• 發明（設計）人: 王林;婁中士;王淼;劉一波;李亞哲;張雪囡;崔敏
• 申請（專利權）人: 天津市環歐半導體材料技術有限公司
• 主分類號: C30B15/14
• 分類號: C30B15/14;C30B29/06
• 代理公司: 天津濱海科緯知識產權代理有限公司 12211
• 代理人: 韓敏

1.一種快速提高直拉硅單晶生長速度的熱場結構，包括爐體、爐蓋、位于爐體內部的坩堝、位于爐體內且位于坩堝外的加熱裝置、位于爐體內且位于加熱裝置外的保溫裝置、位于保溫裝置內部且位于坩堝上部的導流筒和位于導流筒內部且位于坩堝上方的單晶棒提升區域，其特征在于：還包括水冷套和水冷套外吸收層，所述水冷套為空心圓柱形結構，所述水冷套設置在導流筒和單晶棒提升區域之間，所述水冷套外吸收層與水冷套緊密貼合。

2.根據權利要求1所述的一種快速提高直拉硅單晶生長速度的熱場結構，其特征在于：所述水冷套外吸收層還包括內吸收層和外吸收層，所述內吸收層和外吸收層均為筒狀結構，所述內吸收層與水冷套內壁緊密貼合，所述外吸收層與水冷套外壁緊密貼合。

3.根據權利要求2所述的一種快速提高直拉硅單晶生長速度的熱場結構，其特征在于：所述內吸收層和外吸收層為一體式結構，且底部封閉連接。

4.根據權利要求1或2任一項所述的一種快速提高直拉硅單晶生長速度的熱場結構，其特征在于：還包括爐蓋內吸收層，所述爐蓋內吸收層與爐蓋內壁緊密貼合。

5.根據權利要求3所述的一種快速提高直拉硅單晶生長速度的熱場結構，其特征在于：所述水冷套外吸收層和爐蓋內吸收層均為高吸收系數材料。