[發(fā)明專利]晶圓凈化裝置、刻蝕機(jī)臺(tái)及大馬士革刻蝕方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410654598.6
• 申請(qǐng)日: 2014-11-17
• 公開（公告）號(hào): CN104409393B
• 公開（公告）日: 2017-12-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李全寶;劉斌;江旻;曾林華;任昱;呂煜坤;朱駿;張旭升
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/67
• 分類號(hào): H01L21/67;H01L21/768
• 代理公司: 上海天辰知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙)31275
• 代理人: 吳世華,林彥之

1.一種金屬硬質(zhì)掩膜大馬士革一體化刻蝕機(jī)臺(tái)，包括：用于對(duì)晶圓進(jìn)行大馬士革刻蝕工藝的多個(gè)工藝腔，連接于多個(gè)所述工藝腔之間的傳送腔，傳送裝置，其通過所述傳送腔將所述晶圓在多個(gè)所述工藝腔之間進(jìn)行搬運(yùn)，以及用于存儲(chǔ)晶圓的存儲(chǔ)腔，其連接于所述傳送腔的一端；其特征在于，還包括晶圓凈化裝置，所述晶圓凈化裝置位于所述存儲(chǔ)腔的一端；所述晶圓凈化裝置包括：內(nèi)腔，用于裝載晶圓；多層晶圓卡塊，在豎直方向上以一定的間隔分布于所述內(nèi)腔的內(nèi)側(cè)壁上，其用于支撐多個(gè)晶圓在豎直方向上以一定的間隔排布；刻蝕工藝中，所采用的功率、劑量大，則所設(shè)定的間隔距離也大；外腔，連接于所述內(nèi)腔外側(cè)；排氣通道，在豎直方向上排布于所述內(nèi)腔的一側(cè)的側(cè)壁上，且穿過所述內(nèi)腔的側(cè)壁到所述外腔，使所述內(nèi)腔與所述外腔連通；排氣通道與多層晶圓卡塊相間設(shè)置；機(jī)械泵，連接于所述外腔，用于使所述內(nèi)腔中刻蝕殘留氣體平行流動(dòng)并流經(jīng)所述排氣通道、沿所述外腔而排出。

2.一種采用權(quán)利要求1所述的刻蝕機(jī)臺(tái)進(jìn)行金屬硬質(zhì)掩膜大馬士革一體化刻蝕的方法，其特征在于，包括：

在每個(gè)所述工藝腔中對(duì)所述晶圓進(jìn)行大馬士革刻蝕工藝中相應(yīng)的刻蝕過程；

通過所述傳送裝置將在所述工藝腔完成相應(yīng)刻蝕過程的所述晶圓取出，并傳送至所述晶圓凈化裝置；

所述傳送裝置將所述晶圓傳送至所述晶圓凈化裝置的所述內(nèi)腔內(nèi)部；

在所述機(jī)械泵的驅(qū)動(dòng)下，所述內(nèi)腔中的刻蝕殘留氣體平行流動(dòng)，并穿過所述排氣通道、沿所述外腔而排出；

經(jīng)一定的時(shí)間后，所述傳送裝置將所述晶圓取出，并傳送至進(jìn)行下一個(gè)刻蝕過程的所述工藝腔中；

依此循環(huán)，直至完成所述大馬士革刻蝕工藝。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的刻蝕方法，其特征在于，所述大馬士革刻蝕工藝的各個(gè)刻蝕過程依次包括：

步驟01：在表面具有硬掩膜層的襯底上涂覆光刻膠并光刻，以所述光刻后的光刻膠為掩膜刻蝕出凹槽結(jié)構(gòu)的過程；

步驟03：在完成的刻蝕過程的襯底上涂覆光刻膠并光刻，以所述光刻后的光刻膠為掩膜刻蝕出通孔結(jié)構(gòu)的過程；

步驟05：去除光刻膠的過程；

步驟06；繼續(xù)向下刻蝕，使所述通孔結(jié)構(gòu)達(dá)到目標(biāo)結(jié)構(gòu)，并在通孔結(jié)構(gòu)上部刻蝕出溝槽結(jié)構(gòu)的過程。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的刻蝕方法，其特征在于，所述刻蝕殘留氣體沿水平方向平行流動(dòng)。