[發明專利]一種浮柵閃存器件及其編程方法

有效

• 申請號: 201410654582.5
• 申請日: 2014-11-17
• 公開（公告）號: CN104377248B
• 公開（公告）日: 2018-01-02
• 發明（設計）人: 顧經綸
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L29/788
• 分類號: H01L29/788;H01L27/11524
• 代理公司: 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙)31275
• 代理人: 吳世華,林彥之

1.一種浮柵閃存器件，其特征在于，包括：

襯底，其為呈圓柱體結構，所述襯底包括中間部分以及位于中間部分兩側的兩個端部，所述端部分別為源端和漏端；

柵極，包覆于所述襯底的中間部分，所述柵極與所述襯底之間設有柵氧化層；其中，所述柵極包括并列的控制柵以及浮柵，所述控制柵與所述浮柵之間形成有絕緣層；

在進行編程操作時，所述控制柵施加的電壓值與所述閃存器件的閾值電壓值相等，在所述控制柵下襯底區域感應出較薄溝道電子層；所述浮柵施加的電壓值大于所述閃存器件的閾值電壓值，增加了注入浮柵的電子，所述漏端施加電壓范圍為3V～5V，以加速所述控制柵下感應出的電子，產生具有足夠能量的熱電子并在所述浮柵高電壓作用下注入所述浮柵完成編譯。

2.如權利要求1所述的浮柵閃存器件，其特征在于，所述浮柵的材質為多晶硅，其高度為60～80nm，長度為30～50nm。

3.如權利要求1所述的浮柵閃存器件，其特征在于，所述控制柵的材質為多晶硅，其高度為80～95nm，長度為5～15nm。

4.如權利要求1所述的浮柵閃存器件，其特征在于，所述柵氧化層的材質為二氧化硅，厚度為2nm～3nm。

5.如權利要求1所述的浮柵閃存器件，其特征在于，所述絕緣層的材質為二氧化硅，長度為2.5nm～3.5nm。

6.一種浮柵閃存器件的編程方法，其特征在于，對權利要求1中所述的閃存器件進行編程操作時，所述控制柵施加的電壓值與所述閃存器件的閾值電壓值相等，在所述控制柵下襯底區域感應出較薄溝道電子層；所述浮柵施加的電壓值大于所述閃存器件的閾值電壓值，增加了注入浮柵的電子，所述漏端施加電壓范圍為3V～5V，以加速所述控制柵下感應出的電子，產生具有足夠能量的熱電子并在所述浮柵高電壓作用下注入所述浮柵完成編譯。

7.如權利要求6所述的浮柵閃存器件的編程方法，其特征在于，所述控制柵施加的電壓值與所述閃存器件的閾值電壓值相等，所述浮柵施加的電壓值為所述閃存器件的閾值電壓值的兩倍，所述漏端施加電壓為4V。

8.如權利要求6所述的浮柵閃存器件的編程方法，其特征在于，所述源端施加0V電壓。