[發明專利]高壓MOS輕摻雜擴展區的制備工藝

有效

• 申請號: 201410654299.2
• 申請日: 2014-11-17
• 公開（公告）號: CN105590863B
• 公開（公告）日: 2019-01-18
• 發明（設計）人: 呂宇強
• 申請（專利權）人: 帝奧微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/78
• 代理公司: 上海宏威知識產權代理有限公司 31250
• 代理人: 袁輝

1.一種高壓MOS輕摻雜擴展區的制備工藝，其特征在于：包括：

先在硅襯底上形成有源區光刻進行局部選擇氧化工藝，以形成場氧化層且定義有源區和隔離區；

于前述有源區上形成光刻，刻蝕后摻雜劑注入以形成低壓MOS的摻雜阱于其中；

于前述有源區上生長柵氧后進行多晶硅光刻，形成多晶硅柵極；

于前述有源區上淀積氧化硅后，以刻蝕形成多晶硅側墻；

于前述有源區上進行輕摻雜漏極擴展區光刻，摻雜劑注入；

所要實現的高壓MOS指5V到15V的工作電壓的高壓MOS；

所述的低壓指3V到5V工作電壓，工藝線寬范圍在0.13μm到0.8μm；以及

進行熱過程以同時進行多晶硅熱退火和前述輕摻雜擴展區的熱推進形成輕摻雜漏極擴展區。

2.根據權利要求1所述的高壓MOS輕摻雜擴展區的制備工藝，其特征在于：所要實現的高壓MOS為高壓NMOS。

3.根據權利要求2所述的高壓MOS輕摻雜擴展區的制備工藝，其特征在于：所要實現的高壓NMOS的輕摻雜擴展區為N型摻雜劑注入。

4.根據權利要求3所述的高壓MOS輕摻雜擴展區的制備工藝，其特征在于：所述的N型摻雜劑注入為大角度注入N型摻雜劑，注入角度范圍為20度到50度，能量為150KeV到300KeV，注入劑量范圍為2e13cm^-2到5e13cm^-2。

5.根據權利要求4所述的高壓MOS輕摻雜擴展區的制備工藝，其特征在于：所述的高壓NMOS的多晶硅柵極長度為1.0μm到1.8μm，漏極擴展區的擴展長度為0.5μm到1.6μm。

6.根據權利要求1所述的高壓MOS輕摻雜擴展區的制備工藝，其特征在于：所要實現的高壓MOS為高壓PMOS。

7.根據權利要求6所述的高壓MOS輕摻雜擴展區的制備工藝，其特征在于：所要實現的高壓PMOS的輕摻雜擴展區為PDD注入。

8.根據權利要求6所述的高壓MOS輕摻雜擴展區的制備工藝，其特征在于：所述的高壓PMOS的PDD注入用兩次注入實現，一次注入為大角度注入硼，注入角度范圍為20度到50度，能量范圍為50KeV到100KeV,注入劑量范圍為5e12cm^-2到8e12cm^-2；另一次為小角度注入硼，注入角度范圍為0度到15度，能量范圍為50KeV到100KeV，注入劑量范圍為8e12cm^-2到1.5e13cm^-2。

9.根據權利要求7所述的高壓MOS輕摻雜擴展區的制備工藝，其特征在于：所述的高壓PMOS的多晶硅柵極長度為1.0μm到1.8μm，漏極擴展區的擴展長度為0.5μm到1.6μm。