[發(fā)明專利]襯底處理裝置及方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410653462.3
• 申請日: 2014-11-17
• 公開（公告）號: CN104658846A
• 公開（公告）日: 2015-05-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 蔡熙善;趙政熙;李鍾植;李韓生;金賢峻
• 申請（專利權(quán)）人: PSK有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01L21/265
• 代理公司: 北京律智知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11438
• 代理人: 姜燕;王衛(wèi)忠

1.一種襯底處理裝置，包括：

腔室，包括下殼體和設(shè)置在所述下殼體上的上殼體；

氣體供給單元，將氣體供應(yīng)到所述腔室；

等離子體源，從所述氣體生成等離子體；以及

襯底支撐單元，設(shè)置在所述下殼體中以支撐襯底，

其中在所述上殼體和所述下殼體之間形成開口，使得所述下殼體的內(nèi)部空間和所述上殼體的內(nèi)部空間相互連通，

其中所述氣體供給單元包括向所述上殼體供應(yīng)氣體的第一供給單元和向所述下殼體直接供應(yīng)氣體的第二供給單元，以及

其中所述等離子體源包括從供應(yīng)到所述上殼體的所述氣體生成等離子體的第一源和從供應(yīng)到所述下殼體的所述氣體生成等離子體的第二源。

2.如權(quán)利要求1所述的襯底處理裝置，其中所述開口被布置成面對所述襯底的中心區(qū)域，所述襯底位于所述襯底支撐單元上。

3.如權(quán)利要求2所述的襯底處理裝置，其中所述第二供給單元設(shè)置在所述開口周圍，并被設(shè)置為將氣體供應(yīng)到在所述下殼體的內(nèi)部空間中，面對所述襯底邊緣區(qū)域的區(qū)域襯底。

4.如權(quán)利要求2的襯底處理裝置，其中所述第一源纏繞所述上殼體的側(cè)表面。

5.如權(quán)利要求2的襯底處理裝置，其中所述第二源纏繞所述下殼體的側(cè)表面。

6.如權(quán)利要求2的襯底處理裝置，其中所述第二源布置在所述下殼體的上方。

7.如權(quán)利要求1的襯底處理裝置，其中所述下殼體具有在其內(nèi)側(cè)上的渦流形成表面。

8.如權(quán)利要求7的襯底處理裝置，其中所述渦流形成表面具有波紋形狀。

9.如權(quán)利要求1至8中任一項所述的襯底處理裝置，還包括分離第一空間和第二空間的氣體分離構(gòu)件，所述第一空間面對所述下殼體內(nèi)部空間中所述襯底的中心區(qū)域，所述第二空間面對所述襯底的邊緣區(qū)域，

其中，所述氣體分離構(gòu)件設(shè)置在所述第一空間和第二空間之間，并且具有內(nèi)部空間，所述內(nèi)部空間具備開放的上端和下端。

10.如權(quán)利要求9的襯底處理裝置，其中所述第二源設(shè)置為纏繞所述下殼體的側(cè)表面并且面對所述氣體分離構(gòu)件。

11.如權(quán)利要求9的襯底處理裝置，其中所述氣體分離構(gòu)件設(shè)置有包括非導(dǎo)電材料的材料。

12.如權(quán)利要求11所述的襯底處理裝置，其中非導(dǎo)電材料包括選自石英、陶瓷和藍寶石的一種材料。

13.如權(quán)利要求9所述的襯底處理裝置，其中所述氣體分離構(gòu)件為豎直方向上具有相同直徑的圓柱形。

14.如權(quán)利要求9所述的襯底處理裝置，其中所述氣體分離構(gòu)件具有直徑從頂部到底部逐漸增加的圓柱形。

15.如權(quán)利要求9所述的襯底處理裝置，其中所述氣體分離構(gòu)件具有直徑從頂部到底部逐漸減小的圓柱形。

16.如權(quán)利要求14所述的襯底處理裝置，其中所述氣體分離構(gòu)件具有截頭圓錐形狀。

17.如權(quán)利要求9所述的襯底處理裝置，其中所述氣體分離構(gòu)件具有渦流形成表面。

18.如權(quán)利要求17所述的襯底處理裝置，其中所述渦流形成表面設(shè)置在所述氣體分離構(gòu)件的內(nèi)表面上。

19.如權(quán)利要求17所述的襯底處理裝置，其中所述渦流形成表面設(shè)置在所述氣體分離構(gòu)件的外表面上。

20.如權(quán)利要求17所述的襯底處理裝置，其中所述渦流形成表面具有波紋形狀。

21.一種襯底襯底處理方法，所述襯底處理方法使用權(quán)利要求9所述的襯底處理裝置，所述襯底處理方法包括：

利用由所述第一源從第一氣體產(chǎn)生的等離子體處理所述襯底的中心區(qū)域，所述第一氣體由所述第一供給單元提供；以及

利用由所述第二源從所述第二氣體產(chǎn)生的等離子體處理所述襯底的邊緣區(qū)域，所述第二氣體由所述第二供給單元提供。

22.如權(quán)利要求21所述的襯底處理方法，其中所述第一氣體和第二氣體具有不同種類。

23.如權(quán)利要求21所述的襯底處理方法，其中所述第一氣體和第二氣體具有相同種類的氣體，但具有不同的組成比例。

24.如權(quán)利要求21所述的襯底處理方法，其中所述第一氣體和第二氣體具有不同的氣體供應(yīng)量。