[發明專利]一種表面籠狀聚倍半硅氧烷修飾的人工晶狀體及其制備方法有效
| 申請號: | 201410653445.X | 申請日: | 2014-11-17 |
| 公開(公告)號: | CN104382673A | 公開(公告)日: | 2015-03-04 |
| 發明(設計)人: | 林全愧;韓月梅;陳浩 | 申請(專利權)人: | 溫州醫科大學 |
| 主分類號: | A61F2/16 | 分類號: | A61F2/16 |
| 代理公司: | 溫州金甌專利事務所(普通合伙) 33237 | 代理人: | 王堅強 |
| 地址: | 325000 浙江省溫州市*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 表面 籠狀聚倍半硅氧烷 修飾 人工 晶狀體 及其 制備 方法 | ||
技術領域
本發明涉及醫用植入材料及器械表面修飾領域,具體涉及一種表面籠狀聚倍半硅氧烷修飾人工晶狀體及其制備方法。
背景技術
白內障一種世界性的主要致盲眼病。目前臨床治療主要采用超聲乳化聯合人工晶狀體植入術。然而目前廣泛使用的聚甲基丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸羥乙酯水凝膠和硅橡膠等人工晶狀體在植入后人眼后普遍存在異物反應。人工晶狀體植入后晶狀體囊膜再次混濁,亦稱后發性白內障,是人工晶狀體植入術后嚴重影響患者視力恢復的主要并發癥。后發性白內障不僅嚴重影響術后的視力恢復,而且需要二次手術,增加病人的經濟負擔。因此,開發具有高生物相容性的人工晶狀體迫在眉睫。
現有研究認為:超聲乳化手術過程中對晶狀體表層晶狀體上皮細胞的破壞刺激及不完全去除,使其在術后人工晶狀體材料表面粘附增生是導致晶狀體囊膜再次發生渾濁的主要原因。為降低人工晶狀體植入后后發性白內障的發生,通常通過藥物方法阻斷晶狀體上皮細胞的增殖,并已有將藥物負載于人工晶狀體表面的專利。如:中國專利CN101053680A“防止后發障形成的具抗增殖藥涂層的人工晶體”,中國專利CN101036804A“納米氟尿嘧啶涂層人工晶體及其制備方法”,中國專利CN200973766Y“防止后發性白內障的人工晶狀體”,中國專利CN2531755Y“緩釋劑攜帶型人工晶體”及中國專利CN200810061511“表面抗轉化生長因子β2抗體膜的人工晶狀體”等,均是在人工晶狀體表面或赤道部外側或袢等部位負載抗增殖類化學藥物或抗體藥物來達到抑制晶狀體上皮細胞增殖的目的。也有專利通過人工晶狀體材料表面的修飾,獲得親水性表面,抑制晶狀體上皮細胞粘附,從而降低后發性白內障的發生。如中國專利CN?103405807?A“一種表面梳狀聚合物親水改性的人工晶狀體及其制備方法”。
發明內容
本發明的目的是通過人工晶狀體材料表面修飾籠狀聚倍半硅氧烷(POSS),獲得納米籠狀聚倍半硅氧烷修飾的微納復合材料表面,從而大大提高材料的疏水性,降低人工晶狀體植入后晶狀體細胞的粘附,從而降低后發性白內障的發生率。
本發明采用的技術解決方案是:一種表面籠狀聚倍半硅氧烷修飾的人工晶狀體,所述人工晶狀體表面接枝有一層籠狀聚倍半硅氧烷(POSS)。
所述表面籠狀聚倍半硅氧烷修飾的人工晶狀體的制備方法,包括以下步驟:
(1)取干凈的人工晶狀體,并通過表面預處理獲得化學活性表面;
?(2)將通過表面預處理后的人工晶狀體與含可反應性化學基團的POSS化學接枝,獲得表面POSS修飾的人工晶狀體;
所述的表面籠狀聚倍半硅氧烷修飾的人工晶狀體的制備方法,所述的步驟(1)中表面預處理方法為表面硅烷偶聯劑處理,表面多巴胺自聚合處理,表面堿溶液浸處理中的一種。
所述的表面籠狀聚倍半硅氧烷修飾的人工晶狀體的制備方法,所述的步驟(1)中化學活性表面為硅烷偶聯劑處理獲得的胺基化表面,多巴胺自聚合處理的聚多巴胺表面,NaOH或KOH堿溶液浸處理的羧基化表面中的一種。
所述的表面籠狀聚倍半硅氧烷修飾的人工晶狀體的制備方法,所述的步驟(2)中含可反應性化學基團的POSS為含胺基的POSS,含羧基的POSS,含巰基的POSS中的一種。
所述的表面籠狀聚倍半硅氧烷修飾的人工晶狀體的制備方法,所述的步驟(2)中化學接枝方法為碳二亞胺/N-羥基琥珀酰亞胺(DCC/NHS)化學偶聯方法,聚多巴胺與胺基或巰基的偶聯反應中的一種。
所述的表面籠狀聚倍半硅氧烷修飾的人工晶狀體的制備方法,所述的人工晶狀體為硬性人工晶狀體或軟性可折疊人工晶狀體,所述硬性人工晶狀體的制備材料為聚甲基丙烯酸甲酯,所述軟性可折疊人工晶狀體的制備材料為硅橡膠或聚甲基丙烯酸羥乙酯水凝膠。
所述的表面籠狀聚倍半硅氧烷修飾的人工晶狀體的制備方法,所述的硅烷偶聯劑為γ-胺基丙基三乙氧基硅烷、γ-氨丙基三甲氧基硅烷或γ-氨丙基甲基二乙氧基硅烷中的一種。
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