[發明專利]一種空氣側墻的制作方法有效
| 申請號： | 201410652873.0 | 申請日： | 2014-11-17 |
| 公開（公告）號： | CN104409419B | 公開（公告）日： | 2018-01-02 |
| 發明（設計）人： | 曾紹海;李銘 | 申請（專利權）人： | 上海集成電路研發中心有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/8238 | 分類號： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙)31275 | 代理人： | 吳世華,林彥之 |
| 地址： | 201210 上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 空氣 制作方法 | ||
1.一種空氣側墻的制作方法，用于CMOS工藝中的器件制作，其特征在于，包括：
步驟一：提供一半導體襯底，所述半導體襯底包括NMOS區和PMOS區，所述NMOS區形成有N+源漏區和NMOS柵極，所述PMOS區形成有P+源漏區和PMOS柵極；
步驟二：沉積APF層，并刻蝕形成所述NMOS柵極、PMOS柵極的APF側墻；
步驟三：沉積第一介質層，覆蓋所述NMOS柵極、PMOS柵極及APF側墻；其中，所述第一介質層為采用原子層沉積工藝低溫沉積而成的二氧化硅介質層，反應氣體為SiH2(NEt2)2(BDEAS)，反應溫度為50～100℃；
步驟四：對所述第一介質層進行平坦化，直至去除所述APF側墻頂部的一部分，以在所述APF側墻頂部形成釋放口；
步驟五：通過所述釋放口去除所述APF側墻；其中，通過所述釋放口采用干法刻蝕去除所述APF側墻，反應氣體為氧氣；
步驟六：沉積第二介質層，封閉所述釋放口，原位形成所述NMOS柵極、PMOS柵極的空氣側墻。
2.根據權利要求1所述的空氣側墻的制作方法，其特征在于，步驟二中，所述APF層采用等離子增強化學氣相沉積工藝沉積而成，其沉積厚度為800～2000埃。
3.根據權利要求2所述的空氣側墻的制作方法，其特征在于，所述等離子增強化學氣相沉積工藝時的反應氣體為乙炔，反應溫度為350～480℃，反應直流功率為350～600瓦。
4.根據權利要求1所述的空氣側墻的制作方法，其特征在于，步驟三中，所述第一介質層沉積厚度為300～800埃。
5.根據權利要求4所述的空氣側墻的制作方法，其特征在于，所述原子層沉積工藝時的功率為1500～2500瓦。
6.根據權利要求1所述的空氣側墻的制作方法，其特征在于，步驟四中，采用化學機械研磨法對所述第一介質層進行平坦化。
7.根據權利要求1所述的空氣側墻的制作方法，其特征在于，步驟四中，所述釋放口的寬度為5～10nm。
8.根據權利要求1所述的空氣側墻的制作方法，其特征在于，所述干法刻蝕時的功率為300～500瓦。
9.根據權利要求1所述的空氣側墻的制作方法，其特征在于，步驟六中，所述第二介質層為采用等離子增強化學氣相沉積工藝沉積而成的二氧化硅介質層，其沉積厚度為2000～5000埃。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
