[發明專利]一種具有高結合力吸收層的柔性薄膜太陽電池在審
| 申請號: | 201410652856.7 | 申請日: | 2014-11-17 |
| 公開(公告)號: | CN105590973A | 公開(公告)日: | 2016-05-18 |
| 發明(設計)人: | 王赫;喬在祥;趙彥民;李微;張超;楊亦桐;王勝利;楊立 | 申請(專利權)人: | 中國電子科技集團公司第十八研究所 |
| 主分類號: | H01L31/032 | 分類號: | H01L31/032 |
| 代理公司: | 天津市鼎和專利商標代理有限公司 12101 | 代理人: | 李鳳 |
| 地址: | 300384 天津*** | 國省代碼: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 具有 結合 吸收 柔性 薄膜 太陽電池 | ||
1.一種具有高結合力吸收層的柔性薄膜太陽電池,其特征是:具有高結合力吸收層的 柔性薄膜太陽電池包含多層結構,多層結構依次為柔性襯底、Mo電極層、應力緩沖 層、CIGS吸收層、CdS緩沖層、透明導電窗口層、Ni-Al柵電極,CIGS吸收層與Mo 電極層之間設有應力緩沖層,提高柔性襯底生長的CIGS吸收層的結合力。
2.根據權利要求1所述的具有高結合力吸收層的柔性薄膜太陽電池,其特征是:具有 高結合力吸收層的柔性薄膜太陽電池包含多層結構,在電池結構的表面沉積一層MgF2減反射層。
3.根據權利要求2所述的具有高結合力吸收層的柔性薄膜太陽電池,其特征是:MgF2減反射層厚度為90-110nm。
4.根據權利要求1或2所述的具有高結合力吸收層的柔性薄膜太陽電池,其特征是: Mo電極層厚度為0.5~1μm,p型CIGS吸收層厚度為1~3μm,n型CdS緩沖層厚度 為45-55nm。
5.根據權利要求1、2或3所述的具有高結合力吸收層的柔性薄膜太陽電池,其特征是: 應力緩沖層為(In1-x,Gax)2Se3薄膜0.2<x<0.8應力緩沖層。
6.根據權利要求5所述的具有高結合力吸收層的柔性薄膜太陽電池,其特征是: (In1-x,Gax)2Se3薄膜應力緩沖層厚度為100nm~1000nm。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





