[發明專利]刻蝕終點檢測方法在審
| 申請號： | 201410652851.4 | 申請日： | 2014-11-17 |
| 公開（公告）號： | CN104392946A | 公開（公告）日： | 2015-03-04 |
| 發明（設計）人： | 羅永堅;張頌周;任昱;朱駿;呂煜坤;張旭升 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/66 | 分類號： | H01L21/66;H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吳世華;林彥之 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 刻蝕 終點 檢測 方法 | ||
1.一種刻蝕終點檢測方法，在具有射頻電源適配器的刻蝕反應腔中進行，其特征在于，在刻蝕過程中采用所述適配器來進行終點檢測，包括以下步驟：
步驟01：將襯底放入所述刻蝕反應腔中，并采用所述適配器的參數來監測所述刻蝕反應腔內的阻抗；
步驟02：對所述襯底進行刻蝕工藝；
步驟03：所述適配器的參數發生突變，停止刻蝕。
2.根據權利要求1所述的刻蝕終點檢測方法，其特征在于，所述步驟01具體包括：將襯底放入所述刻蝕反應腔中，并采用所述適配器的參數Vpp所檢測的電壓變化來監測所述刻蝕反應腔內的阻抗變化；所述步驟03具體包括：所述適配器的Vpp所檢測的電壓發生突變，停止刻蝕。
3.根據權利要求1所述的刻蝕終點檢測方法，其特征在于，所述步驟01具體包括：將襯底放入所述刻蝕反應腔中，并采用所述適配器的電容變化來監測所述刻蝕反應腔內的阻抗變化。
4.根據權利要求3所述的刻蝕終點檢測方法，其特征在于，所述步驟03具體包括：所述適配器的電容發生突變，停止刻蝕。
5.根據權利要求1所述的刻蝕終點檢測方法，其特征在于，所述步驟01具體包括：將襯底放入所述刻蝕反應腔中，并采用所述適配器的電阻變化來監測所述刻蝕反應腔內的阻抗變化。
6.根據權利要求5所述的刻蝕終點檢測方法，其特征在于，所述步驟03具體包括：所述適配器的電阻發生突變，停止刻蝕。
7.根據權利要求1-6任意一項所述的刻蝕終點檢測方法，其特征在于，所述的刻蝕工藝為等離子干法刻蝕工藝。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
