[發(fā)明專利]一種靜電吸盤性能的監(jiān)測方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410652825.1
• 申請(qǐng)日: 2014-11-17
• 公開（公告）號(hào): CN104362110A
• 公開（公告）日: 2015-02-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 羅永堅(jiān);任昱;呂煜坤;朱駿;張旭升
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/66
• 分類號(hào): H01L21/66
• 代理公司: 上海天辰知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 31275
• 代理人: 吳世華;林彥之

1.一種靜電吸盤性能的監(jiān)測方法，在等離子體干法刻蝕反應(yīng)腔中進(jìn)行，所述反應(yīng)腔室內(nèi)具有靜電吸盤，其上用于緊密吸附晶圓；中空管穿過所述靜電吸盤；所述中空管的頂部開口與所述晶圓的背部相對(duì)，通過所述中空管向所述晶圓背部通入冷卻氣體；其特征在于，所述監(jiān)測方法包括以下步驟：

步驟01：將晶圓置于反應(yīng)腔室內(nèi)的靜電吸盤上；

步驟02：將所述晶圓緊密吸附在所述靜電吸盤表面；

步驟03：打開真空閥，對(duì)所述反應(yīng)腔室抽真空；

步驟04：關(guān)閉所述真空閥，檢測所述反應(yīng)腔室的氣體泄漏率；

步驟05：通過所述中空管向所述晶圓背部通入冷卻氣體，并檢測通入冷卻氣體后的反應(yīng)腔室的泄漏率；

步驟06：用通入冷卻氣體之后的所述反應(yīng)腔室的氣體泄漏率減去通入冷卻氣體之前的所述反應(yīng)腔室的氣體泄漏率，得到所述冷卻氣體從所述晶圓背面泄漏到所述反應(yīng)腔室的泄漏率；

步驟07：設(shè)定一閾值，當(dāng)所述冷卻氣體泄漏到所述反應(yīng)腔室的泄漏率超過所述閾值時(shí)，判斷得出所述靜電吸盤的性能下降。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電吸盤性能的監(jiān)測方法，其特征在于，所述步驟05具體包括：向所述晶圓背部通入一組具有不同壓強(qiáng)的冷卻氣體，并檢測所述不同壓強(qiáng)的冷卻氣體條件下所對(duì)應(yīng)的所述反應(yīng)腔室的氣體泄漏率。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的靜電吸盤性能的監(jiān)測方法，其特征在于，所述步驟05中，所述冷卻氣體的壓強(qiáng)大于40Torr。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電吸盤性能的監(jiān)測方法，其特征在于，所述中空管為多個(gè)，分布于所述靜電吸盤的中間位置和邊緣位置；所述步驟05還包括：通過位于所述中間位置的所述中空管向所述晶圓背部通入冷卻氣體，并檢測此時(shí)的反應(yīng)腔室的泄漏率；通過位于所述邊緣位置的所述中空管向所述晶圓背部通入冷卻氣體，并檢測此時(shí)的反應(yīng)腔室的泄漏率。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任意一項(xiàng)所述的靜電吸盤性能的監(jiān)測方法，其特征在于，所述步驟02中，通過向所述晶圓表面充靜電并向所述靜電吸盤上施加電壓的方式將所述晶圓緊密吸附在所述靜電吸盤的表面。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的靜電吸盤性能的監(jiān)測方法，其特征在于，所述冷卻氣體為氦氣。