[發明專利]一種微納復合絨面結構的多晶黑硅制備方法

在審

• 申請號: 201410652553.5
• 申請日: 2014-11-17
• 公開（公告）號: CN104393114A
• 公開（公告）日: 2015-03-04
• 發明（設計）人: 周洪彪;劉文峰;陸運章
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第四十八研究所
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;C30B33/10
• 代理公司: 長沙正奇專利事務所有限責任公司 43113
• 代理人: 馬強;劉佳芳

1.一種微納復合絨面結構的多晶黑硅制備方法，其特征是，包括以下步驟：

（1）將多晶硅片置入腐蝕溶液進行刻蝕30~300s后將其取出并進行清洗，制備獲得具有微米絨面結構的多晶硅片；所述腐蝕溶液為氫氟酸和硝酸所組成的混合溶液，其中，氫氟酸的濃度為1~5?mol/L，硝酸的濃度為3~15?mol/L；

（2）將步驟（1）得到的多晶硅片置入氫氟酸和金屬離子的混合溶液中，放置時間為15~120s后取出，得到在微米絨面上吸附有金屬納米顆粒的多晶硅片；所述氫氟酸濃度為1~10?mol/L；所述金屬離子為具有催化活性作用的金屬離子，其中金屬離子的濃度為0.003~0.03?mol/L；

（3）將步驟（2）得到的多晶硅片置入刻蝕溶液中，刻蝕時間為1~5min后取出，獲得具有微納復合絨面結構的多晶硅片；所述刻蝕溶液為氫氟酸和雙氧水，其中氫氟酸的濃度為1~10?mol/L，雙氧水的濃度為0.1~1.0?mol/L；

（4）將步驟（3）得到的多晶硅片置入清洗溶液中，去除表面殘留的金屬顆粒；所述的清洗溶液為氧化性酸液；

（5）將步驟（4）得到的多晶硅片置入堿性溶液中，堿性溶液濃度為0.005~0.05?mol/L，修正刻蝕時間為1~5min后取出并進行清洗，烘干獲得納米級類金字塔結構的微納復合絨面結構多晶黑硅。

2.根據權利要求1所述微納復合絨面結構的多晶黑硅制備方法，其特征是，所述的多晶硅片為p型或n型硅片。

3.根據權利要求1所述的微納復合絨面結構的多晶黑硅制備方法，其特征是步驟（2）中，所述氫氟酸濃度為4~10?mol/L。

4.根據權利要求1所述的微納復合絨面結構的多晶黑硅制備方法，其特征是步驟（2）中，所述金屬離子為為金、銀、銅、鐵、鋅、鎳、錫中一種。

5.根據權利要求1所述的微納復合絨面結構的多晶黑硅制備方法，其特征是步驟（3）中，所述的刻蝕溶液為氫氟酸和雙氧水，其中氫氟酸的濃度為4~10?mol/L，雙氧水的濃度為0.4~1.0?mol/L。

6.根據權利要求1所述的微納復合絨面結構的多晶黑硅制備方法，其特征是步驟（4）中，所述的清洗溶液為硝酸、濃硫酸或鹽酸。

7.根據權利要求1所述的微納復合絨面結構的多晶黑硅制備方法，其特征是步驟（5）中，所述它堿性溶液為氫氧化鉀溶液。