[發(fā)明專利]一種斜孔刻蝕方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410652377.5
• 申請日: 2014-11-17
• 公開（公告）號: CN105590843A
• 公開（公告）日: 2016-05-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉海鷹;蔣中偉
• 申請（專利權(quán)）人: 北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司
• 主分類號: H01L21/3065
• 分類號: H01L21/3065
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;張?zhí)焓?/td>

1.一種斜孔刻蝕方法，其特征在于，包括以下步驟：

第一刻蝕步驟，在硅片的待刻蝕表面上刻蝕斜孔，直至其達(dá)到預(yù) 設(shè)深度；

沉積步驟，在所述斜孔的側(cè)壁和底面沉積預(yù)設(shè)厚度的聚合物；

第二刻蝕步驟，僅刻蝕所述斜孔底面上的聚合物，直至將其完全 消耗；

第三刻蝕步驟，僅刻蝕所述斜孔底面，直至其達(dá)到預(yù)設(shè)深度；

重復(fù)進(jìn)行上述沉積步驟、第二刻蝕步驟和第三刻蝕步驟，直至獲 得目標(biāo)刻蝕深度，然后去除掉斜孔的側(cè)壁上沉積的聚合物。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的斜孔刻蝕方法，其特征在于，所述沉積 步驟沉積在所述側(cè)壁上的厚度根據(jù)如下關(guān)系設(shè)置：所述厚度與所述斜 孔的角度大小成反，和/或，所述厚度與所述斜孔側(cè)壁的平滑度成反比； 所述斜孔的角度是指其側(cè)壁與其底面之間角度的補(bǔ)角。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的斜孔刻蝕方法，其特征在于，所述第一 刻蝕步驟和/或所述第三刻蝕步驟的刻蝕深度根據(jù)如下關(guān)系設(shè)置：所述 刻蝕深度與所述斜孔側(cè)壁的平滑度成反比。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的斜孔刻蝕方法，其特征在于，在所述第 一刻蝕步驟和/或第三刻蝕步驟中，對所述硅片交替進(jìn)行刻蝕作業(yè)和沉 積作業(yè)，以實(shí)現(xiàn)刻蝕預(yù)設(shè)深度。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的斜孔刻蝕方法，其特征在于，在所述沉 積步驟中，采用等離子體沉積工藝在所述斜孔的側(cè)壁和底面上沉積聚 合物。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的斜孔刻蝕方法，其特征在于，所述等離 子體沉積工藝的工藝氣體包括碳氟類氣體。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的斜孔刻蝕方法，其特征在于，所述碳氟 類氣體包括C₄F₈和/或C₅F₈氣體。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的斜孔刻蝕方法，其特征在于，所述等離 子體沉積工藝激勵功率的范圍在300～5000W；偏壓功率的范圍在 0～50W。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的斜孔刻蝕方法，其特征在于，在所述第 二刻蝕步驟中，采用等離子體刻蝕工藝刻蝕所述斜孔底面上的聚合物。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的斜孔刻蝕方法，其特征在于，所述等 離子體刻蝕工藝的工藝參數(shù)包括：激勵功率的范圍在300～5000W；偏 壓功率的范圍在10～200W。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的斜孔刻蝕方法，其特征在于，所述等 離子體刻蝕工藝的工藝參數(shù)中的工藝氣體包括CF_x、CH_xF_y、Cl₂、HBr 和SF₆中的一種或者多種。

12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的斜孔刻蝕方法，其特征在于，所述等 離子體刻蝕工藝的工藝參數(shù)還包括載氣體，且載氣體包括Ar、N₂、He 和O₂中的一種或者多種。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的斜孔刻蝕方法，其特征在于，采用濕 法或者等離子體干法刻蝕去除所述斜孔側(cè)壁上的聚合物。