[發明專利]一種GeSe2納米晶及其制備方法和應用有效
| 申請號： | 201410652023.0 | 申請日： | 2014-11-17 |
| 公開（公告）號： | CN104445104A | 公開（公告）日： | 2015-03-25 |
| 發明（設計）人： | 包建春;張龍;曹慧娟;韓敏;戴志暉 | 申請（專利權）人： | 南京師范大學 |
| 主分類號： | C01B19/04 | 分類號： | C01B19/04;B82Y30/00;G01N27/30 |
| 代理公司： | 南京知識律師事務所 32207 | 代理人： | 韓朝暉 |
| 地址： | 210097 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 gese sub 納米 及其 制備 方法 應用 | ||
【權利要求書】：
1.一種GeSe2納米晶的制備方法，其特征在于：將GeI4、硒脲和油胺的混合物以一定的速率升溫至280-320?oC，并維持該溫度反應，反應產物分離、洗滌，制得所述的GeSe2納米晶。
2.根據權利要求1所述的GeSe2納米晶的制備方法，其特征在于，所述的方法中，鍺與硒的摩爾比為1：1。
3.根據權利要求1所述的GeSe2納米晶的制備方法，其特征在于，所述的方法中，升溫速率為4-8?oC?min-1，反應時間為60-90?min。
4.根據權利要求1-3所述的任一方法制備的GeSe2納米晶。
5.根據權利要求4所述的GeSe2納米晶，其特征在于，所述的GeSe2納米晶為大腦狀橢球形，其相結構為單斜相。
6.權利要求4所述的GeSe2納米晶作為光電化學活性材料在光電化學生物傳感器中的應用。
7.根據權利要求6所述的應用，其特征在于，所述的GeSe2納米晶作為活性材料用于制備GeSe2納米晶修飾的ITO電極的應用。
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