[發(fā)明專利]一種抗核電磁脈沖型低損耗微波同軸電纜及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410651201.8
• 申請日: 2014-11-17
• 公開（公告）號: CN104332247A
• 公開（公告）日: 2015-02-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 姜緒宏;姜茂盛;張小平;余小葵;李健;李才有;計克云
• 申請（專利權(quán)）人: 安徽宏源特種電纜集團(tuán)有限公司
• 主分類號: H01B11/18
• 分類號: H01B11/18;H01B7/17;H01B13/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明專利涉及一種抗核電磁脈沖型低損耗微波同軸電纜，該電纜主要用作空間站、人造衛(wèi)星、機(jī)載等裝置上的雷達(dá)、電子對抗、導(dǎo)航設(shè)備等有相位敏感性要求的信號傳輸線。

背景技術(shù)

隨著空間站、登月探測器及導(dǎo)航定位衛(wèi)星、機(jī)載等裝置上的雷達(dá)、導(dǎo)航電子裝備以及其它數(shù)字化相敏電子系統(tǒng)等裝備系統(tǒng)技術(shù)的發(fā)展，除了對射頻電纜的傳輸頻率、傳輸損耗以及相位穩(wěn)定性提出了要求外，還必須滿足電纜在核電磁脈沖場強(qiáng)50kV，頻率1GHz的條件下，要求屏蔽衰減低，這樣才能保證信號在傳輸過程中不受外界的電磁場干擾。但是這中電纜的制造技術(shù)較高，屏蔽性能要求高，屏蔽結(jié)構(gòu)設(shè)計難度大。這就引發(fā)了人們對電纜抗核電磁干擾的材料和制作工藝關(guān)系的研究。

發(fā)明內(nèi)容

為填補(bǔ)以上領(lǐng)域需要的空白，本發(fā)明專利提供了一種抗核電磁脈沖型低損耗微波同軸電纜，在滿足良好的溫度相位穩(wěn)定性、機(jī)械相位穩(wěn)定性、耐高低溫性和較小的信號衰減外，還具有耐較強(qiáng)的電磁場干擾性。

本發(fā)明的方案如下：一種抗核電磁脈沖型低損耗微波同軸電纜,電纜的中心設(shè)有鍍銀銅導(dǎo)體，在鍍銀銅線內(nèi)導(dǎo)體外繞包聚四氟乙烯微孔帶構(gòu)成絕緣層，在絕緣層外纏繞鍍銀銅扁線外導(dǎo)體，在鍍銀銅扁線外導(dǎo)體外包覆抗核電磁屏蔽層，在抗核電磁屏蔽層外擠包可融性聚四氟乙烯護(hù)套層；

所述的抗核電磁屏蔽層由銅塑復(fù)合帶繞包層、鍍鋅鐵絲編織層、銅塑復(fù)合帶繞包層Ⅰ、鍍鎳銅絲編織、銅塑復(fù)合帶繞包?層Ⅱ依次繞包編織構(gòu)成。

進(jìn)一步，所述的鍍銀銅扁線外導(dǎo)體與抗核電磁屏蔽層之間還編織有鍍銀銅線緊固層。

一種抗核電磁脈沖型低損耗微波同軸電纜，制造方法如下：

a.對內(nèi)導(dǎo)體用鍍銀銅線進(jìn)行拉制和絞合，必須采用高光潔度的鉆石拉絲模進(jìn)行拉制以保證鍍銀層的光潔度；對導(dǎo)體進(jìn)行拉制后，在真空退火爐中對鍍銀銅線進(jìn)行250℃，8h的退火以降低鍍銀銅線的硬度和內(nèi)應(yīng)力；

b.在內(nèi)導(dǎo)體外用進(jìn)口恒張力繞包生產(chǎn)線繞包多層微孔聚四氟乙烯薄膜作為電纜的絕緣層；采用的微孔聚四氟乙烯薄膜的密度均為0.6g/cm³；考慮到電纜的在繞包過程中外徑逐漸增大，為了滿足同樣的繞包搭蓋率和繞包角度，薄膜寬度由5mm逐漸增加到10mm；每層薄膜繞包好后，采用合適相對應(yīng)外徑的鎢鋼模進(jìn)行定徑，以提高電纜的駐波要求；其包帶的搭蓋率在48%～50%，一直繞包到規(guī)定外徑；

c.在絕緣層外用進(jìn)口恒張力繞包生產(chǎn)線纏繞一層搭蓋率控制精確度為2%的鍍銀銅扁線作為外導(dǎo)體；

d.?在纏繞鍍銀銅扁線外包覆編抗核電磁屏蔽層，抗核電磁屏蔽層依次為：銅塑復(fù)合帶繞包、鍍鋅鐵絲編織、銅塑復(fù)合帶繞包、鍍鎳銅絲編織、銅塑復(fù)合帶繞包，以提高抗核電磁屏蔽效率；

e.?在抗核電磁屏蔽層外擠包一層可融性聚四氟乙烯作為電纜的外護(hù)套。

本發(fā)明的有益效果：

1、機(jī)械相位好：通過纏繞鍍銀扁銅扁線作為外導(dǎo)體并在外面編織一層鍍銀銅線緊固層，使外導(dǎo)體、微孔聚四氟乙烯絕緣繞包與內(nèi)導(dǎo)體之間更加緊密，在彎曲時不容易發(fā)生相對位移，從而保證了電纜的機(jī)械相位，電纜在1GHz下彎曲相位控制在±3o；

2、抗核電磁屏蔽性好：采用銅塑復(fù)合帶繞包、鍍鋅鐵絲編織、銅塑復(fù)合帶繞包、鍍鎳銅絲編織、銅塑復(fù)合帶繞包五層結(jié)構(gòu)。由于電磁波在傳輸過程中，每遇到一次金屬層，就會出現(xiàn)一次吸收一次反射，這樣就會形成多次的吸收和多次的反射，極大的降低了電磁波對電纜內(nèi)部信號傳輸?shù)母蓴_。采用鍍鋅鐵絲編織、鍍鎳銅絲編織是由于電場鐵、鎳含有磁性，在磁場的作用下，磁體本身也有磁性，內(nèi)外抵消時，外界磁場便不能穿入干擾內(nèi)部信號傳輸，以提高抗核電磁屏蔽效率；

3、傳輸損耗小：對內(nèi)導(dǎo)體用的鍍銀銅線在拉制時均采用了光潔度高的鉆石拉絲模，保證了內(nèi)導(dǎo)體銀層的光潔度高，電纜的衰減要比進(jìn)口低損耗微波電纜的衰減還要小5%左右。

附圖說明

圖1為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖對本發(fā)明做進(jìn)一步說明。

一種抗核電磁脈沖型低損耗微波同軸電纜,電纜的中心設(shè)有鍍銀銅導(dǎo)體，在鍍銀銅線內(nèi)導(dǎo)體外繞包聚四氟乙烯微孔帶構(gòu)成絕緣層，在絕緣層外纏繞鍍銀銅扁線外導(dǎo)體，在鍍銀銅扁線外導(dǎo)體外包覆抗核電磁屏蔽層，在抗核電磁屏蔽層外擠包可融性聚四氟乙烯護(hù)套層；

所述的抗核電磁屏蔽層由銅塑復(fù)合帶繞包層、鍍鋅鐵絲編織層、銅塑復(fù)合帶繞包層Ⅰ、鍍鎳銅絲編織、銅塑復(fù)合帶繞包?層Ⅱ依次繞包編織構(gòu)成。

進(jìn)一步，所述的鍍銀銅扁線外導(dǎo)體與抗核電磁屏蔽層之間還編織有鍍銀銅線緊固層。