[發(fā)明專利]一種制備氮化鎵自支撐襯底的無碎裂紋激光剝離方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410650320.1 | 申請日: | 2014-11-14 |
| 公開(公告)號: | CN105590841A | 公開(公告)日: | 2016-05-18 |
| 發(fā)明(設計)人: | 劉南柳;梁智文;李順峰;張國義 | 申請(專利權)人: | 東莞市中鎵半導體科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/268 | 分類號: | H01L21/268 |
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| 地址: | 523518 *** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 制備 氮化 支撐 襯底 碎裂 激光 剝離 方法 | ||
技術領域
本發(fā)明涉及半導體襯底材料制備及激光剝離技術領域,特別涉及 一種制備氮化鎵自支撐襯底的無碎裂紋激光剝離方法。
背景技術
近十年來,第三代寬帶隙半導體材料GaN及其III/V系列氮化物 取得了卓越的成就。氮化鎵及其摻雜系列化合物具有連續(xù)可變的直接 帶隙的光學性質、物理化學性能穩(wěn)定、高飽和電子遷移率等特性,使 其在激光器、發(fā)光二極管、紫外探測器、電力電子功率器件等光/微 電子器件領域有著廣闊的應用前景。
然而,目前的GaN基半導體器件,一般以藍寶石襯底、SiC、 Si等為襯底材料進行異質外延。異質外延導致氮化鎵外延層殘余應 力較大、位錯密度較高等缺點,從而限制了其在光/微電子器件領域 的應用。GaN單晶襯底(又稱自支撐襯底)同質外延是解決異質外 延產生的所述問題并實現(xiàn)高性能GaN器件的根本途徑。
目前主流的GaN自支撐襯底制備工藝,主要采用HVPE技術在 藍寶石襯底上外延制備GaN厚膜,然后采用激光剝離技術促使GaN 厚膜從藍寶石襯底分離。由于GaN厚膜的制備還是采用異質外延技 術,而藍寶石襯底與GaN材料的熱膨脹系數(shù)不同,導致在降溫后GaN 厚膜存在較大的殘余應力,與藍寶石襯底一起出現(xiàn)向藍寶石一邊翹曲 的現(xiàn)象。與此疊加,GaN厚膜受到激光剝離時因界面處GaN被高 熱急速分解劇烈膨脹而產生的巨大沖擊力作用而極容易發(fā)生碎裂紋, 使制備GaN自支撐襯底的良率低,生產成本居高不下。
發(fā)明內容
為了克服現(xiàn)有技術存在的不足,本發(fā)明提出了一種制備氮化鎵自 支撐襯底的無碎裂紋激光剝離方法,其特點是:在[氮化鎵厚膜/藍寶 石襯底的]氮化鎵厚膜與激光剝離載物臺之間,制備與其緊密貼接的 應力緩沖支撐層用于激光剝離工藝,利用該應力緩沖支撐層[在其受 力時]的反彈力fb,來減小并緩[和]沖[擊]因高能量密度的激光束聚 焦照射[藍寶石襯底與氮化鎵厚膜間]界面的某局部,致使該處氮化鎵 被高熱急速分解劇烈膨脹而產生的[對氮化鎵厚膜的]巨大沖擊力fi(如圖2所示),從而防止在激光剝離過程中氮化鎵厚膜產生碎裂紋, 大幅減小碎裂紋概率、提高產品良率,降低生產成本。
本發(fā)明的具體技術方案如下:
首先,在激光剝離載物臺的上表面制備液態(tài)緩沖層;其后,將待 剝離的氮化鎵厚膜/藍寶石襯底的氮化鎵厚膜的鎵極性面緊密貼接液 態(tài)緩沖層并被其覆蓋;然后,通過工藝處理使液態(tài)緩沖層固化而形成 應力緩沖支撐層,并與氮化鎵厚膜的鎵極性面及激光剝離載物臺的上 表面緊密貼接;再后,用激光剝離方法,使氮化鎵厚膜與藍寶石從其 界面處分離;最后,采用機械、或物理化學方法,使應力緩沖支撐層 從激光剝離載物臺的上表面與氮化鎵厚膜的鎵極性面分離去除;最終, 得到完整單一的氮化鎵厚膜即氮化鎵自支撐襯底。
也可以,先直接在制備的氮化鎵厚膜/藍寶石襯底的氮化鎵厚膜 的鎵極性面制備液態(tài)緩沖層,然后,通過工藝處理使液態(tài)緩沖層固化 而形成應力緩沖支撐層,在液態(tài)緩沖層未完全固化時將其壓制在激光 剝離載物臺上,當液態(tài)緩沖層完全固化并與氮化鎵厚膜的鎵極性面及 激光剝離載物臺的上表面都形成緊密貼接后,采用激光剝離方法使氮 化鎵厚膜與藍寶石分離,最后采用機械、或物理化學方法使應力緩沖 支撐層從激光剝離載物臺與氮化鎵厚膜分離,得到完整單一的氮化鎵 厚膜即氮化鎵自支撐襯底。
也可以,先直接在制備的氮化鎵厚膜/藍寶石襯底的氮化鎵厚膜 的鎵極性面制備液態(tài)緩沖層,然后,采用一定的工藝處理手段使液態(tài) 緩沖層固化而形成應力緩沖支撐層,待液態(tài)緩沖層完全固化后直接將 其放置在激光剝離載物臺上,調節(jié)激光剝離工藝條件使氮化鎵厚膜與 藍寶石分離,最后采用機械、或物理化學方法使應力緩沖支撐層從氮 化鎵厚膜分離去除,得到完整單一的氮化鎵厚膜即氮化鎵自支撐襯底。
所述氮化鎵厚膜/藍寶石襯底的氮化鎵厚膜的厚度范圍為 10~1000微米,最優(yōu)為50~400微米。
所述液態(tài)緩沖層的制備方式可采用滴涂、噴涂、旋涂、提拉、以 及簾式涂布等多種薄膜制備方法。
所述液態(tài)緩沖層的材料具備一個共同的特征,當達到其固化條件 時,可以使其從液態(tài)或者熔融狀態(tài)變成固態(tài);液態(tài)緩沖層的材料可以 用熱固性材料或硅膠或光催化固化膠或石蠟等材料。
所述液態(tài)緩沖層的固化方式,可以是加熱固化或是光催化固化或 是輻射固化或是其他固化方式。
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





